[发明专利]电容隔离的失配补偿型读出放大器有效
申请号: | 200980152021.2 | 申请日: | 2009-11-16 |
公开(公告)号: | CN102265396A | 公开(公告)日: | 2011-11-30 |
发明(设计)人: | J·E·小巴特 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 于静;杨晓光 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容 隔离 失配 补偿 读出 放大器 | ||
1.一种器件,包括:
第一放大器级,其上施加有一输入信号;
其中所述第一放大器级包括并联的隔离电容器和电容器分流开关,所述输入信号施加到所述隔离电容器和所述电容器分流开关,并且其中所述隔离电容器和所述电容器分流开关的输出端在信号节点处连接,其中所述第一放大器级还包括连接至所述信号节点的反相器以及连接在所述信号节点与所述反相器的输出端之间的反相器分流开关。
2.如权利要求1中所述的器件,其中所述输入信号在来自DRAM存储器单元阵列的位线上,并且其中所述第一放大器级包括用于所述DRAM存储器单元阵列的读出放大器。
3.如权利要求2中所述的器件,还包括写回开关,其连接至所述第一放大器级的输出端并提供连接至所述位线的输出端,其中当选择性地闭合所述写回开关时,增强电压值被施加到所述位线。
4.如权利要求1中所述的器件,还包括第二放大器级,其具有与所述第一放大器级的输出端连接的输入端,所述第二放大器级具有并联的隔离电容器和电容器分流开关,并且其中所述隔离电容器和所述电容器分流开关的输出端在信号节点处连接,其中所述第二放大器级还包括连接至所述信号节点的反相器以及连接在所述信号节点与所述反相器的输出端之间的反相器分流开关。
5.如权利要求4中所述的器件,其中在所述第一和第二放大器级的预设工作时段内,所述第一放大器级的所述信号节点与所述第二放大器级的所述信号节点之间的电压差具有排除由所述输入信号上的电压值所代表的二进制逻辑电平的任何错误读数的值。
6.一种读出放大器,包括:
第一放大器级,其上施加有一输入信号,其中所述第一放大器级包括并联的隔离电容器和电容器分流开关,所述输入信号施加到所述隔离电容器和所述电容器分流开关,并且其中所述隔离电容器和所述电容器分流开关的输出端在信号节点处连接,其中所述第一放大器级还包括连接至所述信号节点的反相器以及连接在所述信号节点与所述反相器的输出端之间的反相器分流开关,并且其中所述输入信号在来自存储器单元阵列的位线上;以及
第二放大器级,其具有与所述第一放大器级的输出端连接的输入端,所述第二放大器级具有并联的隔离电容器和电容器分流开关,并且其中所述隔离电容器和所述电容器分流开关的输出端在信号节点处连接,其中所述第二放大器级还包括连接至所述信号节点的反相器以及连接在所述信号节点与所述反相器的输出端之间的反相器分流开关。
7.如权利要求6中所述的读出放大器,还包括写回开关,其连接至所述第二放大器级的输出端并提供连接至所述位线的输出端,其中当选择性地闭合所述写回开关时,增强电压值被施加到所述位线。
8.如权利要求6中所述的读出放大器,其中在所述第一和第二放大器级的预设工作时段内,所述第一放大器级的所述信号节点与所述第二放大器级的所述信号节点之间的电压差具有排除由所述输入信号上的电压值所代表的二进制逻辑电平的任何错误读数的值。
9.如权利要求6中所述的读出放大器,其中在信号发展工作模式期间,所述第一和第二放大器级被浮置并且所述存储器单元阵列中的一个选定存储器单元将其存储的电荷量转移至所述位线,其中所述第一放大器级的所述隔离电容器将所述位线上的任何电荷转移至所述第一放大器级的读出节点。
10.如权利要求6中所述的读出放大器,其中所述存储器单元阵列包括DRAM存储器单元阵列。
11.一种放大器,包括:
并联的隔离电容器和电容器分流开关,并且输入信号施加到所述隔离电容器和所述电容器分流开关,其中所述隔离电容器和所述电容器分流开关的输出端在信号节点处连接;以及
反相器,其连接至所述信号节点,以及反相器分流开关,其连接在所述信号节点与所述反相器的输出端之间。
12.如权利要求11中所述的放大器,其中所述输入信号在来自存储器单元阵列的位线上。
13.如权利要求11中所述的放大器,其中所述存储器单元阵列包括DRAM存储器单元阵列。
14.如权利要求12中所述的放大器,其中所述放大器包括用于所述存储器单元阵列的读出放大器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的