[发明专利]高压斜角刻蚀方法

权利要求书

1.在斜角刻蚀机中应用等离子体斜边刻蚀半导体衬底的方法，其中所述半导体衬底支撑于半导体衬底支座上，包括：

当将所述斜角刻蚀机排空至压强为3托尔至100托尔时，在所述斜角刻蚀机中应用所述等离子体斜边刻蚀所述半导体衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中工艺气体以5sccm至3000sccm被注入进室中，所述等离子体通过电极产生，所述电极供应有功率在50瓦特至2000瓦特且频率处于2MH_Z至60MH_Z的RF，且所述工艺气体包括CO₂、CO、O₂、N₂、H₂、He、Ar、Xe、NF₃、C_xF_y、C_xF_yH_z、SF₆、COS和N₂O中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺气体包括氮、氩、氦、氙、氪及其混合物。

4.根据权利要1所述的方法，其中所述工艺气体中不含氟和氧。

5.根据权利要求1所述的方法，包括将约10sccm-2000sccm的工艺气体流入所述斜角刻蚀机且保持所述室的压强在3托尔到10托尔之间。

6.根据权利要求1所述的方法，包括通过在所述斜角刻蚀机中使用Y₂O₃部件来消散所述衬底上的电荷。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底为300mm的BEOL晶片。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述斜边刻蚀包括激发包含5到15sccm的NF₃、100到300sccm的CO₂和300到700sccm的N₂的气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述斜边刻蚀包括使300到600sccm的包含4％H₂的He-H₂气体混合物和100到300sccm的N₂流入所述斜角刻蚀机。

10.根据权利要求1所述的方法，包括使5到20sccm的NF₃和100到300sccm的CO₂的气体流入到位于所述半导体衬底的边缘的所述斜角刻蚀机。

11.根据权利要求1所述的方法，包括用VCI探针监测晶片电压和将由所述VCI探针测量的RF电压保持在约220伏特的临界值以下。

12.根据权利要求1所述的方法，包括斜角刻蚀300mm的晶片，所述晶片具有65nm或其以下的工艺节点，在其外周的2mm或其以下的边缘排除量和所述晶片上表面的暴露金属线。