[发明专利]静电吸盘无效
| 申请号: | 200980147292.9 | 申请日: | 2009-11-24 |
| 公开(公告)号: | CN102308378A | 公开(公告)日: | 2012-01-04 |
| 发明(设计)人: | 梅梅特·A·阿克巴斯 | 申请(专利权)人: | M丘比德技术公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/687;H01L21/203;H01L21/205 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 静电 吸盘 | ||
1.一种静电吸盘,所述静电吸盘包括:
(a)吸盘支撑结构;及
(b)多个静电元件构件,所述多个构件彼此分离,所述元件全部附接到所述吸盘支撑结构,且其中所述元件中的至少一些可移除地附接到所述吸盘支撑结构,所述静电元件各包括至少一个附接到电绝缘材料的电极。
2.一种静电吸盘,所述静电吸盘包括:
(a)吸盘支撑结构;
(b)多个静电元件,所述多个静电元件彼此分离,所述静电元件各包括至少一个附接在电绝缘材料上的电极的端子;及
(c)基板,其中所述吸盘支撑结构附接到所述基板的一侧,且所述静电元件全部附接到所述基板的相对侧,而且其中所述静电元件的至少一些可移除地附接到所述基板。
3.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中所述静电元件的至少一个是多极。
4.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中所述可移除地附接包括钎焊、焊接或利用导电性环氧树脂附接。
5.如权利要求4所述的静电吸盘,其中所述钎焊、焊接或利用导电性环氧树脂附接为附接到在所述吸盘支撑结构或所述基板上沉积的金属层。
6.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中所述钎焊或焊接为钎焊或焊接至包含在所述吸盘支撑结构或所述基板中的内部金属化部分。
7.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中所述静电元件包括第1级、第2级或第3级绝缘成分。
8.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中组装到所述静电吸盘中的所述多个静电元件全部具有相同尺寸。
9.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中组装到所述静电吸盘中的所述多个静电元件具有不同的尺寸。
10.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中组装到所述静电吸盘中的所述多个静电元件全部具有相同的组成。
11.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中组装到所述静电吸盘中的所述多个静电元件具有不同组成。
12.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中所述支撑结构包括具有低热膨胀系数、高导热性、高杨氏模量和低密度的至少一种材料。
13.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中所述支撑结构包括碳化硅。
14.如权利要求1或权利要求2所述的静电吸盘,其中所述支撑结构包括含硅和碳化硅的复合材料。
15.一种制造静电吸盘的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)提供吸盘支撑结构和多个离散的静电元件;
(b)测试所述离散的静电元件中的每一个;及
(c)将所述多个离散的静电元件组装到所述吸盘支撑结构中,其中所述测试发生在所述组装之前进行,而且其中没有通过所述测试的离散的静电元件在被组装到所述吸盘支撑结构之前被替换。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





