[发明专利]基板管理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种基板管理方法，具体而言，该方法主要是指以硅晶片作为应处理的基板，涉及在基板被吸附并保持于所谓的双极型静电卡盘上的状态下实施指定的处理时，在硅晶片被吸附期间及被吸附前后去管理基板状态，以防该基板破损。

背景技术

在半导体加工步骤中为得到期望的器件构造，实施采用PVD法、CVD法等的成膜处理、离子注入处理、热处理和蚀刻处理等各种处理，在进行这些处理的真空处理装置中，为在处于真空气氛中的处理室内使应处理基板硅晶片(以下称为“晶片”)定位，设置有所谓的静电卡盘。举例来说，由专利文献1可知，过去是在埋设有正负电极的卡盘主体上装上绝缘体卡板而形成所谓的双极性的静电卡盘。

众所周知，在真空处理装置中实施的某些处理，有时要将晶片加热到指定温度，这种情况下，在卡盘主体内安装例如电阻加热式加热设备，同时形成与晶片背面(进行指定处理的面的相反面)的外周边缘部面接触的挡边部，在此挡边部所围绕的内部空间例如垂直设立多个同心的支持部构成卡板。而且，在晶片加热、冷却时，通过在卡盘主体中形成的气体通道来向上述内部空间供给氩气等惰性气体，在由挡边部和晶片背面组成的内部空间形成惰性气体气氛，以此来加速对晶片的热传递，高效地进行晶片的加热和冷却。

然而，在上述结构的静电卡盘中，晶片加热和冷却时，该晶片与静电卡盘的热膨胀差会导致卡板的挡边部和支持部被晶片摩擦而逐渐损耗。为此，以往采取的是如上述专利文献1那样，由交流电源输入流经卡板的电容的交流电流，通过监测电流值来尽可能迅速地判断其使用极限，防止因晶片吸附不良等引起处理室内的晶片破损，提高生产效率。

另一方面，近来为进一步提高生产效率，倾向于将晶片做得直径更大且板体更薄(700μm以下的厚度)。指定的处理导致这种晶片上产生各种方向的弯翘，并且，在某些处理中晶片的加热和冷却都会导致晶片的弯翘状态发生变化。因此，不仅在处理中，在将产生弯曲的晶片保持在静电卡盘上时和在处理后解除晶片的吸附进行搬运之际，晶片都会有发生损坏的情况。其结果是，在仅仅判断静电卡盘的使用极限情况下，将产生无法在提高产品成品率的同时提高生产效率的问题，如何管理晶片状态变得很重要。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：专利公开平成1-321136号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

鉴于以上内容，本发明要解决的技术问题是提供一种基板管理方法，其能准确地把握静电卡盘上与应处理基板破损有关的基板状态。

解决技术问题的手段

为了解决上述技术问题，本发明是一种在将基板保持在静电卡盘上时管理基板状态以防基板破损的基板管理方法，所述卡盘包括：卡盘主体，其具有多个电极；绝缘体卡板，具有可与应处理基板的外周边缘部面接触的挡边部，以及在所述挡边部所围绕的内部空间中垂直设立的、存在指定的间隔的多个支持部；导入设备，将指定的气体导入所述内部空间。所述静电卡盘通过电极间外加指定电压用卡板来吸附基板，且，向所述静电卡盘的所述内部空间供给指定的气体以形成气体气氛，该管理方法的特征是：通过交流电源输入一个流经卡板的电容的交流电流，监测此电流值；同时，监测经所述气体导入设备导入的所述气体的流量，根据电流值及气体流量中至少一方的变化量来对所述基板状态进行管理。

若采用本发明的话，将基板吸附在上述结构的静电卡盘上，在这一状态下实施加热处理和成膜处理等指定的处理，如果向挡边部与基板的外周面之间的缝隙变大的方向(拉伸方向)的基板弯翘变大，则由于气体经所述缝隙从内部空间漏出的泄漏量发生改变，来自气体导入设备的气体供给量亦发生改变。另一方面，如果基板中央部向与内部空间相背离的方向(压缩方向)的基板弯翘变大，则由于电容变化，阻抗会增加，电流值因而变化。

如此，在本发明中，在基板吸附在静电卡盘上期间，如果基板朝某个方向弯翘，或此弯翘变大，则相应地，通过气体流量或阻抗、进而通过交流电流值的变化变大，可准确地把握导致基板破损的基板状态。其结果，可切实防止处理室内的基板破损，可在提高产品成品率的同时提高生产效率。

再有，在本发明中，如果采用下述构成，即如果所述电流值及气体流量中至少有一方的变化量超过指定的阈值，则判断为导致基板破损的基板状态，通过控制加在两电极间的直流电压及来自气体导入设备的气体流量中的至少一方，消除所述基板状态，则可通过防止在基板上施加过度的应力，切实防止基板破损。