[发明专利]基板管理方法无效
| 申请号: | 200980139964.1 | 申请日: | 2009-10-05 |
| 公开(公告)号: | CN102177578A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
| 发明(设计)人: | 石田正彦;森本直树;曾我部浩二 | 申请(专利权)人: | 株式会社爱发科 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H02N13/00 |
| 代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 11015 | 代理人: | 齐永红 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 管理 方法 | ||
1.一种基板管理方法,所述方法在将基板保持在静电卡盘上时管理基板状态以防基板破损,所述静电卡盘包括:
卡盘主体,其具有多个电极;
绝缘体卡板,其具有可与应处理基板的外周边缘部面接触的挡边部和在所述挡边部所围绕的内部空间内垂直设置的、具有指定间隔的多个支持部;
气体导入设备,向所述内部空间导入指定的气体;
其中,所述静电卡盘通过电极间外加指定电压用卡板来吸附基板,且,向所述静电卡盘的所述内部空间供给指定的气体以形成气体气氛,其特征在于:
通过交流电源输入流过卡板的电容的交流电流,检测此电流值;同时,监测经气体导入设备导入的所述气体的流量,根据电流值及气体流量中至少一方的变化量来进行所述基板状态的管理。
2.根据权利要求1所述的基板管理方法,其特征在于:如所述电流值及气体流量中至少一方的变化量超过指定的阈值,则判断为导致基板破损的基板状态,通过控制加在两电极之间的直流电压及来自气体导入设备的气体流量中的至少一方,消除所述基板状态。
3.根据权利要求1或2所述的基板管理方法,其特征在于:将所述基板搭载在卡板上后,在向所述电极上加电压前输入交流电流,监测此电流值,如超过指定的阈值,则判断为基板不良。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板管理方法,其特征在于:在所述基板处于吸附状态时停止加电压后,根据所述电流值判断基板处于可能脱离卡板状态。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





