[发明专利]编程并选择性地擦除非易失性存储器有效
申请号: | 200980133770.0 | 申请日: | 2009-06-30 |
公开(公告)号: | CN102138182A | 公开(公告)日: | 2011-07-27 |
发明(设计)人: | 杰弗里·E·卢茨;李艳 | 申请(专利权)人: | 桑迪士克公司 |
主分类号: | G11C16/16 | 分类号: | G11C16/16;G11C16/34;G11C11/56;G11C16/04 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄小临 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 编程 选择性 擦除 非易失性存储器 | ||
1.一种用于操作非易失性存储器的方法,包括:
擦除非易失性存储元件,以及
对所述非易失性存储元件进行编程,并选择性地对非易失性存储元件中的本应该保持已擦除的至少一个子集进行重新擦除,而不有意擦除已编程的数据。
2.根据权利要求1的方法,其中,所述选择性地对非易失性存储元件中的本应该保持已擦除的至少一个子集进行重新擦除包括:
识别哪个非易失性存储元件应该维持已擦除;
测试应该维持已擦除的所述非易失性存储元件是否还没有被更改超过阈值;以及
对应该维持已擦除且已经被更改超过所述阈值的非易失性存储元件进行一个或多个擦除操作。
3.根据权利要求1或2的方法,其中,所述对所述非易失性存储元件进行编程且选择性地对非易失性存储元件的至少所述子集进行重新擦除包括:
对连接到第一控制线的非易失性存储元件进行第一多遍编程处理的第一遍;
对连接到第二控制线的非易失性存储元件进行第二多遍编程处理的第一遍;
在进行所述第二多遍编程处理的所述第一遍之后,选择性地对连接到所述第一控制线的所述非易失性存储元件中的本应该维持已擦除的至少一个子集进行重新擦除;
选择性地对连接到所述第二控制线的所述非易失性存储元件中的本应该维持已擦除的至少一个子集进行重新擦除;
在选择性地对连接到所述第一控制线的所述非易失性存储元件中的至少一个子集进行重新擦除之后,对连接到所述第一控制线的所述非易失性存储元件中的至少一些进行所述第一多遍编程处理的第二遍;以及
对连接到所述第二控制线的所述非易失性存储元件中的至少一些进行所述第二多遍编程处理的第二遍。
4.根据权利要求3的方法,其中:
所述第一多遍编程处理的所述第一遍是所述第一多遍编程的粗略阶段;且
所述第一多遍编程处理的所述第二遍是所述第一多遍编程的精细阶段。
5.根据权利要求3的方法,其中:
所述第一多遍编程处理的所述第一遍使得连接到所述第一控制线的所述非易失性存储元件处于第一数量的数据状态中;以及
所述第一多遍编程处理的所述第二遍使得连接到所述第一控制线的所述非易失性存储元件处于第二数量的数据状态中,所述第二数量的数据状态大于所述第一数量的数据状态。
6.根据权利要求3的方法,还包括:
对连接到第三控制线的非易失性存储元件进行第三多遍编程处理的第一遍;
选择性地对连接到所述第三控制线的所述非易失性存储元件中的本应该维持已擦除的至少一个子集进行重新擦除;以及
对连接到第三控制线的非易失性存储元件进行第三多遍编程处理的第二遍;
其中,所述对连接到所述第二控制线的所述非易失性存储元件中的至少一个子集选择性地进行重新擦除是在进行所述第三多遍编程处理的所述第一遍之后进行的。
7.根据权利要求3的方法,其中:
所述第一多遍编程处理的所述第一遍和所述第一遍编程处理的所述第二遍编程共同的一组数据。
8.根据权利要求1的方法,其中,所述对所述非易失性存储元件进行编程且选择性地对非易失性存储元件的至少一个子集进行重新擦除包括:
对连接到第一控制线的所述非易失性存储元件进行第一多遍编程处理的第一遍;
在进行所述第一多遍编程处理的所述第一遍之后,对连接到第二控制线的所述非易失性存储元件进行第二多遍编程处理的第一遍;
在进行所述第二多遍编程处理的所述第一遍之后,选择性地对连接到所述第一控制线的所述非易失性存储元件中的本应该维持已擦除的至少一个子集进行重新擦除;
在选择性地对连接到所述第一控制线的所述非易失性存储元件的至少一个子集进行重新擦除之后,选择性地对连接到所述第二控制线的所述非易失性存储元件中的本应该维持已擦除的至少一个子集进行重新擦除;
在选择性地对连接到所述第二控制线的所述非易失性存储元件的至少一个子集进行重新擦除之后,对连接到所述第一控制线的所述非易失性存储元件的至少一些进行所述第一多遍编程处理的第二遍;以及
在进行所述第一多遍编程处理的所述第二遍之后,对连接到所述第二控制线的所述非易失性存储元件的至少一些进行所述第二多遍编程处理的第二遍。
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