[发明专利]腔室等离子清洁制程方法

权利要求书

1.一种用于对制程工具中的腔室进行等离子体清洁的方法，包括：

将衬底放置在制程腔室中的卡盘上，所述制程腔室中具有污染物组；

在所述制程腔室中执行等离子体制程，以将所述污染物组转移到所述衬底的上表面上；以及

从所述制程腔室移除所述衬底，所述衬底上具有所述污染物组。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述污染物组包括从由金属颗粒和电介质颗粒组成的组中选择的颗粒。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述等离子体制程是约在5-50mTorr的压力范围下实施的低压等离子体制程。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述等离子体制程基于流量约在每分钟500-2000标准立方厘米(sccm)的范围内的氧气，且实施持续时间约在60-200秒的范围内。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述制程腔室具有上电极和下电极，并且其中在所述等离子体制程期间，所述上电极具有约在500-2000瓦的范围内的功率源并且所述下电极具有约0瓦的功率源。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行所述等离子体制程之前，所述污染物组位于容纳在所述制程腔室内的淋洒头上。

7.一种用于对制程工具中的腔室进行等离子体清洁的方法，包括：

放置衬底以覆盖制程腔室中的卡盘的上表面，所述制程腔室中具有污染物组；

在所述制程腔室中进行第一等离子体制程，以将所述污染物组转移到所述衬底的上表面上；

当所述衬底位于所述制程腔室中时，在所述制程腔室中进行第二等离子体制程以干燥所述制程腔室；

从所述制程腔室移除所述衬底，所述衬底上具有所述污染物组；以及

当所述卡盘的所述上表面暴露时，在所述制程腔室中进行第三等离子体制程。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述污染物组包括从由金属颗粒和电介质颗粒组成的组中选择的颗粒。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第三等离子体制程消耗位于所述制程腔室中的有机污染物。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一等离子体制程是约在5-50mTorr的压力范围下实施的低压等离子体制程，并且其中所述第三等离子体制程是约在200-600mTorr的压力范围下实施的高压等离子体制程。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第一等离子体制程基于流量约在每分钟500-2000标准立方厘米(sccm)的范围内的氧气，且实施持续时间约在60-200秒的范围内，并且其中所述第三等离子体制程基于流量约在每分钟500-4000标准立方厘米(sccm)的范围内的氧气，且实施持续时间约在10-60秒的范围内。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述制程腔室具有上电极和下电极，并且其中在所述第一等离子体制程期间，所述上电极具有约在500-2000瓦的范围内的功率源并且所述下电极具有约0瓦的功率源，并且其中，在所述第三等离子体制程期间，所述上电极具有约在0-100瓦的范围内的功率源并且所述下电极具有约0瓦的功率源。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，在进行所述第一等离子体制程之前，所述污染物组位于容纳在所述制程腔室内的淋洒头上。

14.一种用于操作蚀刻制程工具的方法，包括：

在制程腔室中的卡盘上提供第一衬底；

在所述制程腔室中，利用第一等离子体制程蚀刻所述第一衬底，其中所述蚀刻在所述制程腔室中提供污染物组；

从所述制程腔室移除所述第一衬底；

放置第二衬底以覆盖所述制程腔室中的所述卡盘的上表面；

在所述制程腔室中进行第二等离子体制程，以将所述污染物组转移到所述第二衬底的上表面上；

从所述制程腔室移除所述第二衬底，所述第二衬底上具有所述污染物组；以及

当所述卡盘的所述上表面暴露时，在所述制程腔室内进行第三等离子体制程。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一衬底包括金属层和电介质层，并且其中所述污染物组包括从由金属颗粒和电介质颗粒组成的组中选择的颗粒。