[发明专利]包含三嗪衍生物的有机电致发光器件有效
| 申请号: | 200980125130.5 | 申请日: | 2009-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN102077384A | 公开(公告)日: | 2011-05-25 |
| 发明(设计)人: | 克里斯托夫·普夫卢姆;西莫内·洛伊;约阿希姆·凯泽;埃米尔·侯赛因·帕勒姆;弗兰克·福格斯;乔纳斯·瓦伦丁·克罗巴;阿尔内·比辛 | 申请(专利权)人: | 默克专利有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 郭国清;樊卫民 |
| 地址: | 德国达*** | 国省代码: | 德国;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 包含 衍生物 有机 电致发光 器件 | ||
技术领域
本发明涉及包含三嗪衍生物作为电子传输材料的有机电致发光器件。
背景技术
其中有机半导体用作功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构描述在例如US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中。然而,仍需要进一步的改进。因此,仍然需要改进,特别是在有机电致发光器件的寿命、效率和工作电压方面。此外所述化合物还必须具有高的热稳定性和高的玻璃化转变温度,并必须能升华而不分解。
性质方面的改进仍然是需要的,特别是在电子传输材料的情况下,因为另外电子传输材料的性质恰好对有机电致发光器件的上述性质具有重要的影响。特别地,需要电子传输材料方面的改进,其同时导致高效率、长寿命和低工作电压。特别地,电子传输材料的性质还常常限制有机电致发光器件的寿命、效率和工作电压。
在此希望具有导致电子更好地注入到发光层中的可利用的电子传输材料,因为较富含电子的发光层导致更好的效率。此外,更好的注入可以降低工作电压。因此,为了该目的,必须进一步改进电子传输材料。
此外通常还需要改进所述材料的可加工性,因为现有技术的有机电致发光器件中所用的许多材料在电致发光器件制造过程中倾向于在气相沉积源上结晶,并因此堵塞所述气相沉积源。因此这些材料仅在技术复杂度提高的情况下才能用于大规模生产。
使用AlQ3作为电子导体的电致发光器件早已为人所知,并且在1993年就已经描述在US 4,539,507中。AlQ3此后经常被用作电子传输材料,但是其具有很多缺点:由于其在升华温度下部分分解,其不能气相沉积而不留下残余物,这是主要的问题,特别是就生产装置而言特别是对于生产装置而言。这导致不得不频繁清理或更换气相沉积源。此外,AlQ3分解产物进入OLED,在那里它们导致缩短的寿命和降低的量子与功率效率。此外,AlQ3具有低的电子迁移率,这导致更高的电压并因此导致更低的功率效率。为避免显示器中的短路,希望提高层厚度;由于低载流子迁移率和导致的电压升高,这对AlQ3来说是不可能的。其它电子导体的载流子迁移率(US 4,539,507)同样太低以致于不能用它们制造更厚的层,其中OLED的寿命甚至比使用AlQ3时更差。因再吸收和弱的再发光可导致色彩偏移的AlQ3本征色(在固体形式下为黄色),尤其在蓝色OLED的情况下,也被证明是不利的。在此只有在显著损失效率和色彩定位的情况下才能制造蓝色OLED。
因此,始终需要在有机电致发光器件中导致良好效率并同时获得长寿命的电子传输材料。令人惊奇地,现在已经发现,包含特定三嗪衍生物——下文所示——作为电子传输材料的有机电致发光器件具有优于现有技术的显著改进。通过这些材料,可以同时获得高效率和长寿命,这对使用现有技术的材料来说是不可能的。此外,已经发现还可以显著降低工作电压,这导致了更高的功率效率。
此外还发现,包含作为电子传输材料的三嗪衍生物与有机碱金属化合物的组合的有机电子器件具有优于现有技术的显著改进。采用这种材料组合,同时获得了高效率和长寿命,并降低了工作电压。
US 6,229,012和US 6,225,467公开了在OLED中使用被三嗪基团取代的芴衍生物和联苯衍生物作为电子传输材料。然而,该专利尤其没有公开含有螺二芴基团替代芴基团的材料提供优于上述专利中公开的材料的显著优点。
WO 05/053055公开了在磷光OLED中,三嗪衍生物,特别是被三嗪基团取代的螺二芴衍生物在空穴阻挡层中作为空穴阻挡材料的用途。然而,该申请没有公开这些材料还适于用作荧光电致发光器件的电子传输材料。
发明内容
本发明因此涉及有机电致发光器件,其包含阳极、阴极和至少一个包含至少一种荧光发光体的发光层,或至少一个包含至少一种磷光发光体的发光层,并且该发光层与随后的空穴阻挡层组合使用,其特征在于在所述发光层或所述空穴阻挡层与所述阴极之间引入电子传输层,该电子传输层包含至少一种式(1)或式(2)的化合物:
其中所用的符号和标记如下:
Ar是下式(3)的基团:
其中虚线键表示到螺二芴上的键;
Ar′是下式(4)的基团:
其中虚线键表示到螺二芴上的键;
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