[发明专利]具有亲水性中间层的基材和可成像元件有效
| 申请号: | 200980122857.8 | 申请日: | 2009-06-15 |
| 公开(公告)号: | CN102066124A | 公开(公告)日: | 2011-05-18 |
| 发明(设计)人: | T·陶;E·克拉克;S·萨赖亚;F·E·米克尔 | 申请(专利权)人: | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号: | B41N3/03 | 分类号: | B41N3/03;G03F7/075 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 范赤;李炳爱 |
| 地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 亲水性 中间层 基材 成像 元件 | ||
1. 一种基材,包括金属或聚合物载体,在所述载体上具有包括具有以下结构(I)的三烷氧基甲硅烷基聚乙二醇丙烯酸酯的中间层:
其中R1和R2独立地为氢或C1至C6烷基、C1至C6烯基、C1至C6烷氧基、C1至C6酰基、C1至C6酰氧基、苯基、卤素或氰基,或R1和R2可以一起形成环状基团,
R3为氢或C1至C6烷基、苯基、卤素或氰基,
R4和R5独立地为氢或甲基,
R6为氢或C1至C12烷基,
X1是-O-或-NR-,其中R为氢或烷基或芳基,
X2是-NR'-,其中R'为氢或烷基或芳基,
m为15至200的整数,n为1至12的整数。
2. 权利要求1的基材,其中R1和R2独立地为氢或C1至C4烷基或苯基,R3为氢或C1至C3烷基或苯基,R6为C1至C4烷基,X1为-O-、-NH-或-NCH3-,X2为-NH-或-NCH3-,m为20至70的整数,n为2至6的整数。
3. 权利要求2的基材,其中R1和R2独立地为氢或甲基,R3、R4和R5独立地为氢或甲基,R6为甲基或乙基,X1为-O-或-NH-,X2为-NH-,m为25至60的整数,n为2至4的整数。
4. 权利要求1的基材,其中所述中间层为Jeffamine (甲基)丙烯酰胺和3-异氰酸基丙基三乙氧基硅烷的反应产物。
5. 权利要求1的基材,其中所述中间层以至多0.1 g/m2的干燥覆盖度存在。
6. 权利要求1的基材,包括含铝载体。
7. 一种负性工作可成像元件,包括基材,在基材上设置的在暴露于成像辐射之后变得更加不可溶于处理溶液的可成像层,和所述可成像元件在所述基材和所述可成像层之间进一步包括:
包括具有以下结构(I)的三烷氧基甲硅烷基聚乙二醇丙烯酸酯的中间层:
其中R1和R2独立地为氢或C1至C6烷基、C1至C6烯基、C1至C6烷氧基、C1至C6酰基、C1至C6酰氧基、苯基、卤素或氰基,或R1和R2可以一起形成环状基团,
R3为氢或C1至C6烷基、苯基、卤素或氰基,
R4和R5独立地为氢或甲基,
R6为氢或C1至C12烷基,
X1是-O-或-NR-,其中R为氢或烷基或芳基,
X2是-NR'-,其中R'为氢或烷基或芳基,
m为15至200的整数,n为1至12的整数。
8. 权利要求7的可成像元件,包括辐射吸收化合物。
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