[发明专利]检查缺陷的方法及缺陷检查装置

权利要求书

1.一种检查缺陷的方法，其在对被检查体不施加应力的状态和施加应力的状态下，利用偏光镜使能够透入该被检查体内的波长的光形成为偏光的基础上，照射该被检查体的面，检测其散射光，由此检查被检查体的缺陷，该检查缺陷的方法的特征在于，包括以下步骤：

在对所述被检查体不施加应力的状态下，在所述被检查体的面上的位置，将成为偏光后的光相对于该面从倾斜方向照射，将由此产生的散射光分离为P偏光的成分光和S偏光的成分光，求取各个成分光的强度以及作为它们的比的偏光方向；

在对所述被检查体施加了应力的状态下，在与所述不施加应力的状态下照射光的位置相同的所述被检查体的面上的位置，将成为偏光后的光相对于该面从倾斜方向照射，将由此产生的散射光分离为P偏光的成分光和S偏光的成分光，求取各个成分光的强度以及作为它们的比的偏光方向；

将在不对所述被检查体施加应力的状态下求取的各个成分光的强度和偏光方向以及在对所述被检查体施加了应力的状态下求取的各个成分光的强度和偏光方向与规定的阈值进行对比，由此进行缺陷的检测和/或分类。

2.如权利要求1所述的检查缺陷的方法，其特征在于：

利用配置在暗视野的偏光分离单元将在所述被检查体的面上的位置照射的光的散射光分离为P偏光的偏光成分和S偏光的偏光成分，并求取各成分光的强度。

3.如权利要求1或2所述的检查缺陷的方法，其特征在于：

在对所述被检查体不施加应力的状态下求取的散射光的偏光方向与对所述被检查体施加了应力的状态下求取的散射光的偏光方向的差超过规定的阈值时，判别为被检查体的缺陷为裂纹或空洞缺陷，在不超过该规定的阈值时判别为其它种类的缺陷。

4.如权利要求1至3中任一项所述的检查缺陷的方法，其特征在于：

将所述被检查体隔着高度调整部件载置在真空卡盘上，对所述被检查体施加真空卡盘的吸引作用，由此对所述被检查体施加应力。

5.如权利要求1至3中任一项所述的检查缺陷的方法，其特征在于：

将所述被检查体隔着压电元件载置在真空卡盘上，对所述被检查体施加真空卡盘的吸引作用，并且施加压电元件的作用，由此对所述被检查体施加应力。

6.如权利要求1至3中任一项所述的检查缺陷的方法，其特征在于：

在将所述被检查体载置于加热工作台上的状态下进行所述被检查体的加热和/或冷却，使所述被检查体产生热应力，由此施加应力。

7.如权利要求1至3中任一项所述的检查缺陷的方法，其特征在于：

通过对所述被检查体作用超声波，对所述被检查体施加应力。

8.如权利要求1至7中任一项所述的检查缺陷的方法，其特征在于：

所述被检查体为用于半导体制造的硅晶片，作为照射的光使用红外光进行内部的空洞缺陷的检测。

9.一种缺陷检查装置，其特征在于，包括：

支承部，其载置被检查体；应力施加单元，其能够切换对载置于所述支承部的被检查体施加应力的状态和不施加应力的状态；光源装置，其经由偏光镜将能够透入所述被检查体内的波长的光对支承于所述支承部的所述被检查体的面从倾斜方向进行照射；扫描驱动部，其用于使所述被检查体和光源装置进行相对移动；偏光分离单元，其接受照射于所述被检查体的光的散射光，配置在暗视野的位置；受光单元，其具有分别检测由该偏光分离单元分离出的P偏光的成分光和S偏光的成分光的P偏光受光部和S偏光受光部；控制部，其进行所述应力施加单元中的应力的施加状态和包含所述扫描驱动部中的所述被检查体与所述光源装置的相对移动的动作的控制；以及运算处理部，其将在对所述被检查体施加有应力的状态和不施加应力的状态下分别由所述受光单元检测出的P偏光的成分光和S偏光的成分光的强度以及作为它们的比而求得的偏光方向，与规定的阈值进行对比，由此进行所述被检查体的缺陷的检测和/或缺陷的种类的判别。

10.如权利要求9所述的缺陷检查装置，其特征在于：

所述偏光分离单元为光束偏移器，所述受光单元为CCD摄像装置，使由所述光束偏移器分离的P偏光和S偏光的成分光形成的像在CCD上成像。