[实用新型]一种光刻胶烘焙装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及光刻工艺领域，特别涉及一种光刻胶烘焙装置。

背景技术

在采用光刻工艺制作掩模板的过程中，通常在对掩模板上的光刻胶进行了曝光后还需要进行曝光后的烘焙(PEB)，进行曝光后烘焙的目的是：a、完全蒸发掉光刻胶里面的溶剂，以免在污染后续工艺；b、坚膜，以提高光刻胶在离子注入或刻蚀中保护下表面的能力；c、进一步减少驻波效应(Standing WaveEffect)。目前进行对于光刻胶进行曝光后的烘焙工艺已经成为一种实际工艺标准。

对已经完成曝光、曝光后烘焙以及显影过程所形成的光刻胶图形必须进行检查，以确定掩模板上光刻胶图形的质量。检测光刻胶图形质量的方法之一为将掩模板上的光刻胶图形划分为n×n个阵列，测量每一个阵列图形的关键尺寸，得出所有阵列图形关键尺寸的平均值，然后用各个阵列图形的关键尺寸与平均值想减，得出每个阵列图形关键尺寸与平均值的差值，通过差值大小判断整个掩模板上光刻胶图形的均匀性，请参阅图1，图1表示出了整个掩模板上各个阵列图形关键尺寸与关键尺寸平均值之间的差值，如图1所示，黑色圆圈代表正差值，白色圆圈代表负差值，圆圈大小代表了差值的大小。由图1可看出，掩模板上各个阵列图形反映关键尺寸均匀性的差值呈现一边(图示的右边)基本都为正差，而另一边(图示的左边)基本均为负差的这样的边对边的误差，而掩模板光刻图形所呈现的这种的边对边的误差是无法进行修复的，因而必须找到避免此种误差出现的方法。请参看图2，通过试验，若将掩模板旋转90°进行曝光后烘焙，显影之后再依上述方法检查掩模板上光刻胶图形的质量，会发现出现边对边误差的方向也发生了变化，变成了图示掩模板的上边基本都为正差，而图示掩模板的下边基本都为负差。由此可判断出，对掩模板进行的曝光后烘焙对掩模板光刻图形的均匀性具有一定的负面影响。而对掩模板进行曝光后烘焙时，烘焙装置提供的烘焙温度的稳定性和均匀性是很好的，因而能够对掩模板光刻胶图形的均匀性产生影响的只能是烘焙装置当中为烘焙装置提供正压得气流。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种光刻胶烘焙装置，以解决曝光后烘焙影响光刻胶图形的均匀性，使光刻胶图形产生边对边误差的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种光刻胶烘焙装置，包括外壳、热板、控制系统、风扇，所述热板、控制系统及风扇设置于所述外壳内，所述控制系统控制所述热板的加热温度，所述风扇设置于所述热板的上方，还包括挡风盖板，所述挡风盖板设置于所述风扇与所述热板之间，所述档风盖板上设置多个通风孔洞。

可选的，所述热板及其控制系统均为一个。

可选的，所述档风盖板的形状依据所述外壳的形状设置。

可选的，所述挡风盖板通过螺丝固定于所述外壳上。

可选的，所述热板及其控制系统均为多个，每个所述热板之间通过挡板隔开，每个所述热板之上设置一个所述挡风盖板。

可选的，所述档风盖板的形状依据所述热板四周的挡板的形状设置。

可选的，所述挡风盖板通过螺丝固定于所述热板四周的挡板上。

可选的，所述挡风盖板的材质为聚氯乙烯材质。

可选的，所述热板包括上热板和下热板。

可选的，所述挡板为聚氯乙烯材质。

本实用新型的光刻胶烘焙装置通过增加挡风盖板，降低了烘焙装置内风扇吹出的气流对进行曝光后烘焙的掩模板的光刻胶图形的不利影响，提高了显影后整个光刻胶图形关键尺寸的均匀性，使光刻胶图形的质量得到很好的改善。本实用新型增加的挡风盖板的易于制作，成本较低，但取得的有益效果显著。

附图说明

图1表示整个掩模板上各个阵列图形关键尺寸与关键尺寸平均值之间的差值分布示意图；

图2表示将掩模板旋转90°进行曝光后烘焙后，整个掩模板上各个阵列图形关键尺寸与关键尺寸平均值之间的差值分布示意图；

图3为本实用新型的光刻胶烘焙装置的结构示意图；

图4为本实用新型的挡风盖板的剖视结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做详细的说明。

本实用新型所述的光刻烘焙装置可广泛应用于多种光刻胶烘焙工艺过程中，并且可以利用多种替换方式实现，下面是通过较佳的实施例来加以说明，当然本实用新型并不局限于该具体实施例，本领域内的普通技术人员所熟知的一般的替换无疑地涵盖在本实用新型的保护范围内。