[实用新型]一种绝缘栅双极晶体管系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种绝缘栅双极晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，简称IGBT)系统，特别是涉及一种可以减少尖峰电压的IGBT系统。

背景技术

在现有的大功率和超大功率逆变器中，连接IGBT的直流母线和电容器电路存在分布电感，每只IGBT在开通和关断时的电流很大，因此IGBT开通和关断时产生的尖峰电压很高，如果尖峰电压过大于IGBT的耐压时会将IGBT击穿。因此需要控制逆变器直流母线及电容器电路的分布电感从而控制尖峰电压。

为了控制尖峰电压，现有的方法是采取在直流母线的两端并联电容，用电容来吸收尖峰电压的方法。但是无法从根本上解决尖峰电压过大的问题，因为电容吸收尖峰电压的能力是有限的，不能大幅度减小尖峰电压。

实用新型内容

本实用新型提供了一种IGBT系统，用以解决尖峰电压过大的问题。

本实用新型一种IGBT系统包括：互相电连接的母线装置和电容单元；所述母线装置具体包括：IGBT模块；母线，分别与所述IGBT模块和电容单元相连接。

所述电容单元为多个电容器。

所述电容单元通过插接件与所述母线装置电连接。

所述母线装置母线具体包括：负极母线，与所述电容单元电连接；正极母线，与所述IGBT模块相接连接，并且通过第一绝缘板与所述负极母线相连接。

所述母线装置还包括第二绝缘板，所述正极母线通过所述第二绝缘板与所述IGBT模块相接连接。

所述母线装置还包括散热器，与所述IGBT模块相连接。

本实用新型有益效果如下：本实用新型的一种IGBT系统利用大面积的母线来减少母线的分布电感，从而减少尖峰电压，有效保护IGBT模块。

附图说明

图1为本实用新型一种IGBT系统的结构示意图；

图2为一种IGBT系统中母线装置3的结构示意图。

具体实施方式

为了实现减尖峰电压，有效保护IGBT，本实用新型采用减小母线电感来减小尖峰电压，同时配合吸收电容。

如图1所示，为本实用新型一种IGBT系统的结构示意图，所述系统包括互相电连接的母线装置3和电容单元1；所述电容单元1为多个电容器。所述电容单元1通过插接件2与所述母线装置3电连接。多个滤波电容器分组组成单元的方式，每组IGBT模块配合一组电容器单元，每组电容器单元紧靠该组IGBT模块插装的方式，缩短了铜排长度，从另一个方面减小了布线电感。

如图2所示，为本实用新型一种IGBT系统中母线装置3的结构示意图，所述母线装置3具体包括：IGBT模块31；和母线，分别与所述IGBT模块31和电容器单元1相连接。如图所示所述母线装置母线具体包括：负极母线321，与所述电容器单元1电连接；正极母线322，与所述IGBT31相接连接，并且通过第一绝缘板323与所述负极母线321相连接。所述母线装置3还包括第二绝缘(即IGBT绝缘)板324，所述正极母线322通过所述第二绝缘板324与所述IGBT31相接连接。所述母线装置3还包括散热器325，与所述IGBT31相连接。大面积叠层母线和叠层母线紧贴IGBT安装的方式，减小母线的布线电感。

本实用新型设计的母线结构，新母线的结构特点如下：采取大面积叠层母线和叠层母线紧贴IGBT安装的方式，减小母线的布线电感；采取滤波电容分组组成单元的方式，每组IGBT模块配合一组电容器单元，每组电容器单元紧靠该组IGBT模块插装的方式，缩短了铜排长度，从另一个方面减小了布线电感。上述两项措施最大程度的减小了母线电感，有效控制了尖峰电压。经实测尖峰电压的最大幅度被控制在200V以下。创新的母线结构有效控制了尖峰电压，达到了预期效果。

本实用新型创新的叠层母线及其安装方式有效减小了尖峰电压，节省了吸收电容，提高了逆变器的质量和可靠性。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。