[实用新型]一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种线性化高阻值MOSFET电阻。

背景技术

随着对集成电路信号处理能力的要求越来越高，制造工艺中掺杂浓度越来越高，导致无源电阻的方块电阻阻值变小。而且在很多应用中需要用到几十兆甚至上百兆的大电阻，这种大电阻在芯片上用无源电阻来做是不大现实的，首先在经济上，无源大电阻占用的面积会使制造成本成倍的增加，同时大面积电阻除了成本高外，还容易通过耦合受到干扰，从而影响电路性能。有时外接大电阻成为解决这个问题的一种选择，但是外接大电阻会受环境条件的影响，如湿度就会影响阻值，而且时间久了，板子上还会形成电阻的漏电通路，还有外加大电阻增加工序，增大质量控制难度等。

通常，现在可以用有源电阻来达到大阻值的目的，比如可以用MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)在芯片上做大电阻。如图1所示，第一NMOS管3被第一电流源1、第二电流源4与diode接法的第三NMOS管2偏置到亚阈值状态，VR1与VR2之间的电阻可以很容易达到兆级，这样的电阻器件比外接电阻及无源大电阻更小更经济。但是由于流过第一NMOS管3的漏极电流与(VR1-VR2)成指数关系，因此线性度极差。

实用新型内容

本实用新型的目的在于针对现有技术的不足，提供一种线性化高阻值MOSFET电阻。

本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的：

一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻，采用NMOS管，它主要由第一电流源、第三NMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三电流源和第四NMOS管组成；其中，所述第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连，第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极相连，第一NMOS管的源极与第三NMOS管的源极相连，第一NMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极相连，第三NMOS管的栅极与第三NMOS管的漏极相连，第三NMOS管的漏极与第一电流源的电流流出端相连；第二NMOS管的漏极还与第四NMOS管的源极相连，第二NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连，第四NMOS管的栅极与第四NMOS管的漏极相连，第四NMOS管的漏极与第三电流源的电流流出端相连。

进一步地，还包括一第二电流源，其电流流入端与第三NMOS管的源极相连，电流流出端接地。

进一步地，还包括一第四电流源8，其电流流入端与第四NMOS管7的源极相连，电流流出端接地。

一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻，采用PMOS管，它主要由第三PMOS管、第二电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第四PMOS管和第四电流源组成；其中，所以第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极相连，第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极相连，第一PMOS管的源极还与第三PMOS管的源极相连，第三PMOS管的漏极与第二电流源的电流流入端相连，第二电流源的电流流出端接地；第一PMOS管的栅极与第三PMOS管的栅极相连，第三PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极相连。第二PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极相连，第二PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极相连，第四PMOS管的栅极与第四PMOS管的漏极相连，第四PMOS管的漏极与第四电流源的电流流入端相连，第四电流源的电流流出端接地。

进一步地，还包括一第一电流源，其电流流出端与第三PMOS管的源极相连，电流流入端与电源相连。

进一步地，还包括一第三电流源，其电流流出端与第四PMOS管的源极相连，电流流入端与电源相连。

本实用新型的有益效果是：本实用新型在单管有源MOSFET的基础上并联一个MOSFET，并通过对并联的两MOSFET进行对称地偏置达到了电阻值大，线性度好，成本低的目的，适用于集成电路设计所有需要用到高线性度大电阻的场合。

附图说明

图1是现有单管有源电阻的电路原理图；

图2是本实用新型实施例1采用NMOS管的线性化高阻值MOSFET电阻的电路原理图；

图3是本实用新型实施例2采用PMOS管的线性化高阻值MOSFET电阻的电路原理图。

图中，1、第一电流源，2、第三NMOS管，3、第一NMOS管，4、第二电流源，5、第二NMOS管，6、第三电流源，7、第四NMOS管，8、第四电流源，9、第一PMOS管，10、第二PMOS管，11、第三PMOS管，12、第四PMOS管。

具体实施方式