[实用新型]一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻无效
申请号: | 200920112833.1 | 申请日: | 2009-01-15 |
公开(公告)号: | CN201340772Y | 公开(公告)日: | 2009-11-04 |
发明(设计)人: | 陈锋;奚剑雄 | 申请(专利权)人: | 杭州硅星科技有限公司 |
主分类号: | H01C13/00 | 分类号: | H01C13/00;H01L27/02;H03H11/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 周 烽 |
地址: | 310012浙江省杭*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 线性化 阻值 mosfet 有源 电阻 | ||
技术领域
本实用新型涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种线性化高阻值MOSFET电阻。
背景技术
随着对集成电路信号处理能力的要求越来越高,制造工艺中掺杂浓度越来越高,导致无源电阻的方块电阻阻值变小。而且在很多应用中需要用到几十兆甚至上百兆的大电阻,这种大电阻在芯片上用无源电阻来做是不大现实的,首先在经济上,无源大电阻占用的面积会使制造成本成倍的增加,同时大面积电阻除了成本高外,还容易通过耦合受到干扰,从而影响电路性能。有时外接大电阻成为解决这个问题的一种选择,但是外接大电阻会受环境条件的影响,如湿度就会影响阻值,而且时间久了,板子上还会形成电阻的漏电通路,还有外加大电阻增加工序,增大质量控制难度等。
通常,现在可以用有源电阻来达到大阻值的目的,比如可以用MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体管)在芯片上做大电阻。如图1所示,第一NMOS管3被第一电流源1、第二电流源4与diode接法的第三NMOS管2偏置到亚阈值状态,VR1与VR2之间的电阻可以很容易达到兆级,这样的电阻器件比外接电阻及无源大电阻更小更经济。但是由于流过第一NMOS管3的漏极电流与(VR1-VR2)成指数关系,因此线性度极差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种线性化高阻值MOSFET电阻。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻,采用NMOS管,它主要由第一电流源、第三NMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三电流源和第四NMOS管组成;其中,所述第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连,第一NMOS管的源极与第二NMOS管的源极相连,第一NMOS管的源极与第三NMOS管的源极相连,第一NMOS管的栅极与第三NMOS管的栅极相连,第三NMOS管的栅极与第三NMOS管的漏极相连,第三NMOS管的漏极与第一电流源的电流流出端相连;第二NMOS管的漏极还与第四NMOS管的源极相连,第二NMOS管的栅极与第四NMOS管的栅极相连,第四NMOS管的栅极与第四NMOS管的漏极相连,第四NMOS管的漏极与第三电流源的电流流出端相连。
进一步地,还包括一第二电流源,其电流流入端与第三NMOS管的源极相连,电流流出端接地。
进一步地,还包括一第四电流源8,其电流流入端与第四NMOS管7的源极相连,电流流出端接地。
一种线性化的高阻值MOSFET有源电阻,采用PMOS管,它主要由第三PMOS管、第二电流源、第一PMOS管、第二PMOS管、第四PMOS管和第四电流源组成;其中,所以第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的漏极相连,第一PMOS管的源极与第二PMOS管的源极相连,第一PMOS管的源极还与第三PMOS管的源极相连,第三PMOS管的漏极与第二电流源的电流流入端相连,第二电流源的电流流出端接地;第一PMOS管的栅极与第三PMOS管的栅极相连,第三PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极相连。第二PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极相连,第二PMOS管的栅极与第四PMOS管的栅极相连,第四PMOS管的栅极与第四PMOS管的漏极相连,第四PMOS管的漏极与第四电流源的电流流入端相连,第四电流源的电流流出端接地。
进一步地,还包括一第一电流源,其电流流出端与第三PMOS管的源极相连,电流流入端与电源相连。
进一步地,还包括一第三电流源,其电流流出端与第四PMOS管的源极相连,电流流入端与电源相连。
本实用新型的有益效果是:本实用新型在单管有源MOSFET的基础上并联一个MOSFET,并通过对并联的两MOSFET进行对称地偏置达到了电阻值大,线性度好,成本低的目的,适用于集成电路设计所有需要用到高线性度大电阻的场合。
附图说明
图1是现有单管有源电阻的电路原理图;
图2是本实用新型实施例1采用NMOS管的线性化高阻值MOSFET电阻的电路原理图;
图3是本实用新型实施例2采用PMOS管的线性化高阻值MOSFET电阻的电路原理图。
图中,1、第一电流源,2、第三NMOS管,3、第一NMOS管,4、第二电流源,5、第二NMOS管,6、第三电流源,7、第四NMOS管,8、第四电流源,9、第一PMOS管,10、第二PMOS管,11、第三PMOS管,12、第四PMOS管。
具体实施方式
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