[实用新型]高阻抗低衰减高速传输线无效

专利信息
申请号: 200920097953.9 申请日: 2009-07-27
公开(公告)号: CN201465651U 公开(公告)日: 2010-05-12
发明(设计)人: 韩学军;杨玉萍;董华章 申请(专利权)人: 天津维达维宏电缆科技有限公司
主分类号: H01B11/06 分类号: H01B11/06;H01B7/17
代理公司: 天津才智专利商标代理有限公司 12108 代理人: 杜文茹
地址: 300402 天津*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 阻抗 衰减 高速 传输线
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种高速传输线,特别是涉及一种衰减常数小、体积小、质量轻,机械物理性能高的高阻抗低衰减高速传输线。

背景技术

目前在航空航天及计算机领域中应用的高速传输线产品,大多依赖进口。该产品的应用,可以通过发射(接收)频率的不同,实现一线多信号高速传输。

通常,由于其采用导线和实芯填充对称组合结构,因此在特定高特性阻抗(120Ω)的条件下,存在着综合介电常数大、衰减常数大、体积大、质量重等问题,并且还存在着屏蔽效果差的问题。还有,进口产品存在价格高、供货周期长、易被技术封锁和禁运等问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种高阻抗、综合介电常数小、衰减常数小、体积小、质量轻、价格适中的高阻抗低衰减高速传输线。

本实用新型所采用的技术方案是:一种高阻抗低衰减高速传输线,包括有两根绝缘导线,还设置有两根填充芯,所述的绝缘导线与填充芯对称绞缆形成两根绞缆线,在两根绞缆线外依次包裹的设置有两层第一复合屏蔽层、第二复合屏蔽层、薄膜保护层及护套层,所述的两层第一复合屏蔽层之间设置有地线。

所述的绝缘导线包括有导电线芯和挤包在外层的聚全氟乙丙烯绝缘层。

所述的填充芯是采用耐高温氟材料制作的中空管型结构的填充芯。

所述的第一复合屏蔽层是采用铝复合薄膜。

所述的第二复合屏蔽层采用镀锡铜线或镀银铜线或镀镍铜线。

所述的薄膜保护层采用聚酯材料。

所述的护套层采用聚全氟乙丙烯材料。

本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线,在保证衰减常数小、体积小、质量轻的基础上,具有高阻抗、综合介电常数小,并以此产品的国产化彻底解决因国外技术封锁和禁运而造成项目搁浅等问题,满足航天航空等相关领域的需要。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

其中:

1:导电线芯          2:聚全氟乙丙烯绝缘层

3:第一复合屏蔽层    4:第二复合屏蔽层

5:薄膜保护层        6:护套层

7:填充芯            8:绝缘导线

9:第二复合屏蔽层

具体实施方式

下面结合附图给出具体实施例,进一步说明本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线是如何实现的。

如图1所示,本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线,包括有两根绝缘导线8,还设置有两根填充芯7,所述的绝缘导线8与填充芯7对称绞缆,即一根绝缘导线8与一根填充芯7绞缆,共形成两根绞缆线。然后在两根绞缆线外再依次包裹的设置有两层第一复合屏蔽层3、第二复合屏蔽层9、薄膜保护层5及护套层6,在所述的两层第一复合屏蔽层3之间设置有地线4。

在本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线上述的结构中,所述的绝缘导线8是由导电线芯1和挤包在外层的聚全氟乙丙烯绝缘层2构成;所述的填充芯7是采用耐高温氟材料制作的中空管型结构的填充芯;所述的第一复合屏蔽层3是采用铝复合薄膜;所述的第二复合屏蔽层9采用镀锡铜线或镀银铜线或镀镍铜线;所述的薄膜保护层5采用聚酯材料;所述的护套层6采用聚全氟乙丙烯材料。

本实用新型的高阻抗低衰减高速传输线的结构及主要性能如下:

  项目  指标  芯数×标称截面mm2  2×0.2  总线外径mm  5.1±0.3  20℃时直流电阻≤Ω/km  90.0  20℃时绝缘电阻≥MΩ·m  1×106  耐电压  50Hz 2kV 1min  护套火花电压kV  2  特性阻抗Ω  120±12  工作电容≤pF/m  65  衰减常数≤dB/m  1MHz时0.025  拉断力≥N  250  质量(参考)kg/km  63.6

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