[实用新型]高阻抗低衰减高速传输线无效
申请号: | 200920097953.9 | 申请日: | 2009-07-27 |
公开(公告)号: | CN201465651U | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 韩学军;杨玉萍;董华章 | 申请(专利权)人: | 天津维达维宏电缆科技有限公司 |
主分类号: | H01B11/06 | 分类号: | H01B11/06;H01B7/17 |
代理公司: | 天津才智专利商标代理有限公司 12108 | 代理人: | 杜文茹 |
地址: | 300402 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻抗 衰减 高速 传输线 | ||
1.一种高阻抗低衰减高速传输线,包括有两根绝缘导线(8),其特征在于,还设置有两根填充芯(7),所述的绝缘导线(8)与填充芯(7)对称绞缆形成两根绞缆线,在两根绞缆线外依次包裹的设置有两层第一复合屏蔽层(3)、第二复合屏蔽层(9)、薄膜保护层(5)及护套层(6),所述的两层第一复合屏蔽层(3)之间设置有地线(4)。
2.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线,其特征在于,所述的绝缘导线(8)包括有导电线芯(1)和挤包在外层的聚全氟乙丙烯绝缘层(2)。
3.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线,其特征在于,所述的填充芯(7)是采用耐高温氟材料制作的中空管型结构的填充芯。
4.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线,其特征在于,所述的第一复合屏蔽层(3)是采用铝复合薄膜。
5.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线,其特征在于,所述的第二复合屏蔽层(9)采用镀锡铜线或镀银铜线或镀镍铜线。
6.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线,其特征在于,所述的薄膜保护层(5)采用聚酯材料。
7.根据权利要求1所述的高阻抗低衰减高速传输线,其特征在于,所述的护套层(6)采用聚全氟乙丙烯材料。
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