[实用新型]酸洗板无效
申请号: | 200920035903.8 | 申请日: | 2009-03-04 |
公开(公告)号: | CN201359997Y | 公开(公告)日: | 2009-12-09 |
发明(设计)人: | 储琏 | 申请(专利权)人: | 泰州银河寰宇半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/329 |
代理公司: | 常州市天龙专利事务所有限公司 | 代理人: | 赵燕棣 |
地址: | 225300江苏省泰兴市高港*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 酸洗 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种用于酸洗材料表面的容器,具体涉及一种用于酸洗二极管的酸洗板。
背景技术
目前用于酸洗材料表面的容器,一般是采用不锈钢盆。在生产二极管的过程中,酸洗这一步骤是通过操作人员人工手动的方式,一般是将二极管放入不锈钢盆内,再注入酸液直接进行腐蚀。由于采取这种方式酸洗,其缺点是,操作人员在操作的过程中既费力,又使得二极管酸洗不均匀,而且影响产品的质量,同时造成酸液的浪费,并且会污染环境。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种操作人员在使用的过程中既能够使二极管酸洗均匀,又不会影响产品的质量,同时能够节约酸液,减少环境污染的酸洗板。
为了达到上述目的,本实用新型的技术方案是:一种酸洗板,包括基板,还包括压条,基板上设有若干条凹槽、凹槽之间具有分隔板,基板上还设有横穿凹槽的压条槽,压条与压条槽装连。
所述的基板的上平面具有凹台,所述凹槽排列在基板上平面的凹台处,且凹槽两端延伸出凹台。
所述凹槽两端延伸部分底面与基板的上平面之间斜面过渡或圆弧面过渡。
所述基板的上平面具有一个压条槽,压条槽位于凹槽一端,且压条槽垂直横穿过凹槽。
所述凹槽靠近压条槽一端为进料端,另一端与基板的上平面斜面过渡或圆弧面过渡处,凹槽的宽度小于凹槽其它部位宽度。
所述的分隔板的横截面为T型截面或是倒锥形截面。
所述分隔板的顶面低于基板的平面。
所述的基板其底面具有支腿,支腿与基板装连。
本实用新型所具有的积极效果是:由于本实用新型的酸洗板,基板上设有若干条凹槽、凹槽之间具有分隔板,基板上还设有横穿凹槽的压条槽,压条与压条槽装连。在酸洗的过程中,二极管有序的排入酸洗板的凹槽中,分隔板的横截面为T型截面或是倒锥形截面,可将二极管挡住既不会掉出,又不会使二极管重叠,这就保证了二极管酸洗均匀;同时由于酸洗过程可以通过向凹槽注入酸液进行,而基板的上平面具有凹台,所述凹槽排列在基板上平面的凹台处,这样可以有效的控制注酸量,从而既保证酸液浸过二极管,又保证了酸液不会溢出,避免酸液的浪费,减少环境的污染。
附图说明
图1是本实用新型酸洗板的结构示意图;
图2是图1中基板的结构示意图;
图3是图2的A-A剖视图;
图4是图2的B-B剖视图。
具体实施方式
以下结合附图给出的实施例,对本实用新型作进一步的详细说明。
参见图1、2、3、4所示,一种酸洗板,包括基板1,还包括压条2,基板1上设有若干条凹槽3,凹槽3之间具有分隔板4,基板1上还设有横穿凹槽3的压条槽5,压条2与压条槽5装连。
参见图1、2、3所示,为了在酸洗的过程中,控制注入酸液的注酸量,保证不会溢出,避免浪费,基板1的上平面1-1具有凹台6,凹槽3排列在基板1上平面1-1的凹台6处,且凹槽3两端延伸出凹台6;凹槽3两端延伸部分底面与基板1的上平面1-1之间斜面过渡或圆弧面过渡。
参见图1、2所示,为了保证二极管容易放入凹槽3内,且不易从凹槽3中掉出,基板1的上平面1-1具有一个压条槽5,压条槽5位于凹槽3一端,且压条槽5垂直横穿过凹槽3;凹槽3靠近压条槽5一端为进料端,凹槽3另一端与基板1的上平面1-1斜面过渡或圆弧面过渡处的宽度小于凹槽3其它部位宽度。
参见图4所示,所述分隔板4的横截面为T型截面或是倒锥形截面。使凹槽下面的宽度和高度均与二极管相当,这样就可以保证二极管排列整齐,避免产生二极管从基板1上平面1-1掉出或叠层现象,达到酸洗均匀。
参见图3、4所示,为了既保证酸液浸过二极管,又保证酸液不会溢出,避免酸液的浪费,减少环境的污染。分隔板4的顶面4-1低于基板1的平面1-1。
参见图3、4所示,为了防止基板1滑动,影响二极管酸洗的质量,基板1底面1-2具有支腿7,支腿7与基板1装连。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造