[发明专利]互补型CMOS基准电压源无效
| 申请号： | 200910304798.8 | 申请日： | 2009-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN101625575A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 范涛;袁国顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;北京中科微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 王建国 |
| 地址： | 100029北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互补 cmos 基准 电压 | ||
1.一种互补型CMOS基准电压源，其特征在于，包括：
参考电流产生电路，用于产生参考电流；
NMOS管补偿产生电路，用于复制所述参考电流作为漏电流，产生与温度成反比例变化的栅源电压；
PMOS管补偿产生电路，用于复制所述参考电流作为漏电流，产生与温度成正比例变化的栅源电压；
比例求和电路，用于将所述正比例变化的栅源电压和反比例变化的栅源电压进行比例求和，产生不随温度变化的电压。
2.根据权利要求1所述的互补型CMOS基准电压源，其特征在于，所述CMOS基准电压源还包括：
电流校准电路，用于对所述参考电流进行校准。
3.根据权利要求2所述的互补型CMOS基准电压源，其特征在于，所述CMOS基准电压源还包括：
输出基准电压产生电路，用于将所述不随温度变化的电压作为参考电压源输出。
4.根据权利要求1、2或3所述的互补型CMOS基准电压源，其特征在于，所述参考电流产生电路采用共源共栅结构构成。
5.根据权利要求2或3所述的互补型CMOS基准电压源，其特征在于，所述电流校准电路具体包括六个支路，所述六个支路的电流完全相等，或采用二进制编码的方式对所述六个支路的电流进行调节。
6.根据权利要求2或3所述的互补型CMOS基准电压源，其特征在于，所述NMOS管补偿产生电路具体包括：
采用栅源短接的NMOS晶体管，源端接地，所述电流校准电路产生电流送入所述NMOS晶体管的漏端，所述NMOS晶体管的栅极电压为与温度成反比例变化的电压。
7.根据权利要求2或3所述的互补型CMOS基准电压源，其特征在于，所述PMOS管补偿产生电路具体包括：
采用栅源短接的PMOS晶体管，源端接电源，所述电流校准电路产生电流送入所述PMOS晶体管的漏端，所述PMOS晶体管的栅极电压为与温度成正比例变化的电压。
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