[发明专利]半导体器件的制造方法以及半导体器件和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电层；

在第一导电层上提供的至少包含沟道形成区、源区和漏区的薄膜晶体管；

覆盖所述薄膜晶体管的第一绝缘层；以及

在第一绝缘层上提供的第二导电层，

其中第二导电层通过在第一绝缘层中提供的第一开口电连接到所述薄膜晶体管的源区和漏区这两者之一，且通过在第一绝缘层中提供的第二开口电连接到第一导电层。

2.一种半导体器件，包括：

在衬底上提供的第一导电层；

覆盖第一导电层的第一绝缘层；

在第一绝缘层上提供的至少包含沟道形成区、源区和漏区的薄膜晶体管；

覆盖所述薄膜晶体管的第二绝缘层；以及

在第二绝缘层上提供的第二导电层，

其中第二导电层通过在第二绝缘层中提供的第一开口电连接到所述薄膜晶体管的源区和漏区这两者之一，且通过在第一绝缘层和第二绝缘层这两者的每一个中提供的第二开口电连接到第一导电层。

3.一种半导体器件，包括：

在衬底上提供的第一导电层；

覆盖第一导电层的第一绝缘层；

覆盖第一绝缘层的第二绝缘层；

在第二绝缘层上提供的至少包含沟道形成区、源区和漏区的薄膜晶体管；

覆盖所述薄膜晶体管的第三绝缘层；以及

在第三绝缘层上提供的第二导电层，

其中第二导电层通过在第三绝缘层中提供的第一开口电连接到所述薄膜晶体管的源区和漏区这两者之一，且通过在第一绝缘层、第二绝缘层和第三绝缘层这三者的每一个中提供的第二开口电连接到第一导电层。

4.根据权利要求2或3的半导体器件，其中所述衬底具有柔性。

5.根据权利要求1-3中的任一项的半导体器件，其中第一导电层用作天线。

6.根据权利要求1-3中的任一项的半导体器件，其中所述薄膜晶体管包含侧壁绝缘层。

7.根据权利要求1-3中的任一项的半导体器件，其中第一导电层通过含有导电颗粒的树脂电连接到第二导电层。

8.根据权利要求1-3中的任一项的半导体器件，其中第一导电层设有凸块，且第一导电层通过所述凸块和含有导电颗粒的树脂电连接到第二导电层。

9.一种电子装置，具有根据权利要求1-3中的任一项的半导体器件。