[发明专利]一种高效集成半导体温差发电模块及制造方法无效
| 申请号: | 200910250956.6 | 申请日: | 2009-12-21 |
| 公开(公告)号: | CN102025295A | 公开(公告)日: | 2011-04-20 |
| 发明(设计)人: | 任永斌 | 申请(专利权)人: | 任永斌 |
| 主分类号: | H02N11/00 | 分类号: | H02N11/00;H01L35/34 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 409600 重庆市彭水*** | 国省代码: | 重庆;85 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 高效 集成 半导体 温差 发电 模块 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体温差发电模块,尤其是节省半导体材料、提高发电效率、集成化的半导体温差发电模块。
背景技术
目前,半导体温差发电模块主要用于油田、野外、军事、太阳能、地热、工业废能等领域,它的工作原理是在两块不同性质的半导体两端设置一个温差,于是在半导体上就产生了直流电压。温差半导体发电有着无噪音、寿命长、性能稳定等特点。可在零下40摄氏度的寒冷环境中迅速启动,因此在实际中得到越来越广泛的应用。温差发电是一种新型的发电方式,利用塞贝尔效应将热能直接转换为电能,一般是用P型半导体和N型半导体材料制成,实际应用中,从热电材料切割下来的大量P型、N型颗粒,采用电气上串联,热学上并联形成一个模块。这种装置很早就用于航空航天领域中的发电,以及仪表、通讯和其他大量专业应用中的冷却和温度控制。以半导体温差发电模块制造的半导体发电机,只要有温差存在即能发电。工作时无噪音、无污染,使用寿命超过十年,免维护,因而是一种应用广泛的便携电源。其优点是体积小,重量轻,便于携带,其缺点是普遍效率低、易损坏且体积大。传统热电模块的大尺寸和离散特性严重制约了它们的发展。
发明内容
为了克服现有半导体温差发电模块效率低、材料用量大的缺点,本发明提供了一种发电效率高、节省半导体材料、可以集成的温差发电模块。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
本发明采用普通半导体制作工艺,在薄型绝缘基带(衬底)上形成金属薄膜线路,再将半导体材料成长在金属薄膜上形成线路上生成等效的PN结,由此形成温差发电薄片,基带通过层叠或缠绕在一起形成模块,当温差一定时,模块的功率、电压由层叠或缠绕基带所含P、N半导体数量决定。
附图说明
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
图1是本发明现有技术参考原理示意图。
图中1.热端金属连接片,2.冷端金属连接片,3.P型半导体,4.N型半导体,5.电压表,6.负极引线,8.正极引线。
在图1中,P型半导体3(圆柱或方柱型)与N型半导体4(圆柱或方柱型)两端分别连接热端金属连接片1、冷端金属连接片2,通过金属片的连接形成等效的PN结(一般PN是半导体直接接触产生),当在热端金属连接片1上加高温热源,在冷端金属连接片2上加低温热源时,在半导体两端的等效的PN结处于不同的温度环境中,PN结的温度越高,电势越大,温度越低,电势越小,由于PN结温度不同,其电势大小不同,因而具有温差的PN结会出现温差电势,由多个PN结组成电学上的串联,热学上的并联形成模块,在负极引线7,正极引线8两端接上电压表5,从电压表的读数就知道有温差电势产生。
图2是本发明原理示意图。
图中1.热端金属连接片,2.冷端金属连接片,3.P型半导体,4.N型半导体,5.电压表,6.负极引线,7.正极引线,8.金属连接线。
在图2中,P型半导体3与N型半导体4两端分别连接热端金属连接片1、冷端金属连接片2,P型半导体中间用金属线8连接、N半导体的中间也通过金属线8连接,通过这样的连接,使原来模块的柱型半导体可以变为薄片,大大节省了半导体材料用量,在热端金属连接片1加入高温热源,在冷端金属连接片2上加低温热源时,热量必须通过金属线8,由于金属线细小,热传递慢,但导电能力强,对电流影响不大,所以提高了发电效率。
图3是本发明实施示意图。
图中1.热端金属连接片,2.冷端金属连接片,3.P型半导体,4.N型半导体,5.电压表,6.负极引线,7.正极引线,8.金属连接线,9.同型半导体连接片,10.绝缘基带。
在图3中,P型半导体3与N型半导体4两端分别连接热端金属连接片1、冷端金属连接片2,同型半导体连接片9,金属连接线8连接在同型半导体连接片9之间,通过这样的连接,使原来模块的柱型半导体可以变为薄片,大大节省了半导体材料用量,可以使用普通集成电路制造技术大规模集成、大批量大生产。
具体实施方式
在图3的实施例中,我们以实施一个高效率集成半导体温差发电模块为例对本发明进一步说明:
材料选择及制造工艺:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于任永斌,未经任永斌许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910250956.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





