[发明专利]一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法，其 特征在于步骤如下：

1)在衬底上沉积包括非晶硅薄膜、二氧化硅薄膜和金属铝薄膜制得多层薄 膜；

2)将上述多层薄膜放入退火炉中，将退火炉抽真空并将退火炉升温至退火 温度；

3)通入氢气并通过设置于退火炉内的氢等离子体发生源产生氢等离子体， 使多层薄膜暴露于氢等离子体氛围中；

4)在退火炉温度恒定条件下，进行退火；

5)关闭氢等离子体发生源，停止通氢气，二次抽真空，待自然降温后从退 火炉中取出，即可制得完全晶化的多晶硅薄膜材料。

2.根据权利要求1所述氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的 制备方法，其特征在于：所述退火温度为450℃～550℃。

3.根据权利要求1所述氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的 制备方法，其特征在于：所述氢等离子体发生源为射频辉光放电、微波激发 或热辅助方法产生的近程或远程氢等离子体源。

4.根据权利要求1所述氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的 制备方法，其特征在于：所述氢气的流量为15sccm～60sccm。

5.根据权利要求1所述氢等离子体氛围中铝诱导晶化多晶硅薄膜的 制备方法，其特征在于：所述退火的时间为不少于2小时。