[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法

说明书

本申请要求于2008年11月17日提交的韩国专利申请第10-2008-0113894号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。更具体地，本发明涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件及其制造方法。

背景技术

以下将参照相应附图来描述传统的横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管。

图1是示出了传统的LDMOS晶体管的平面图。

参照图1，形成至少一条金属线20和接触插塞22以及在金属线20之间形成介电层10。

图2是示出了沿着A-A’方向截取的LDMOS晶体管的截面图。图3是示出了沿着B-B’方向截取的图1的LDMOS晶体管的截面图。

参照图1和2，在具有由隔离层36限定的有源区的n-型衬底30上形成n-型阱38。p-型本体区60和n-型扩展漏极区34和40在n-型阱38内以预定的距离隔离开。n+型源极区62设置在p-型本体区60上，与n+型源极区62相邻并与栅极介电层72和栅极导电层70都重叠的p型本体区60的预定的上表面区域是沟道区。n+型漏极区32和42设置在n-型扩展漏极区34和40上。栅极介电层72和栅极导电层70顺序设置在沟道区。栅极隔离体层(gate spacerlayer)76形成在栅极导电层70的侧壁上。栅极隔离体层76可以由两层介电层72和74形成。尽管在图中未具体示出，然而在形成栅极隔离体层76之前执行了第一离子注入。形成栅极隔离体层76之后，执行第二离子注入以实现双扩散。然后，完成了DMOS晶体管结构。

如上所述，介电层80、82、84、90、92、94、96、100和102形成在以上结构上。经由每个相应的介电层形成接触插塞22。每一个接触插塞与相应的金属线91、93和98接触。接触阻挡层24形成在接触插塞22的外表面。此外，硅化层50形成在漏极区32和42、源极区62和栅极导电层70与接触插塞22接触的区域中。

上述LDMOS晶体管通过应用最小设计规则限定了尽可能多的接触插塞以在充分短的时间内具有大量工作电压和电流。这里，特别地，大量的接触插塞有利于具有大量电流，但是根据晶体管的尺寸，其限制了接触插塞数目的增加。

发明内容

因此，本发明针对一种LDMOS晶体管及其制造方法。

本发明的一个目的在于提供一种LDMOS晶体管及其制造方法，该LDMOS晶体管能够以预定数目的接触插塞和预定尺寸的晶体管来流过尽可能多的电流。

本发明的其他优点、目的和特征一部分将在下文中阐述，一部分对于本领域的普通技术人员而言通过下文的实验将变得显而易见或者可以从本发明的实践中获得。通过所写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构，可以了解和获知本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，如在本文中所体现和概括描述的，横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管包括：第一介电层，形成在衬底的上表面的正面区域上；多个第二介电层，多层层叠在第一介电层的上表面的正面区域上；多个接触插塞，在有源区中以预定的距离彼此隔开，并穿过第一和第二介电层；以及桥接金属线，形成在第二介电层中，在水平方向上内部连接隔开的接触插塞。

在本发明的另一方面中，一种用于制造LDMOS晶体管的方法包括：在衬底的上表面的正面区域上形成第一介电层；在第一介电层的上表面的正面区域上分别顺序形成具有不同密度的多个第二介电层；通过刻蚀第一和第二介电层敞开彼此以预定距离隔开的多个接触区；在预定的具有不同密度的第二介电层中的具有最低密度的一个第二介电层中分别形成桥接金属线区，该桥接金属线区在水平方向上穿过接触区；以及通过在敞开的接触区和桥接金属线区中嵌入金属来形成以预定距离隔开的多个接触插塞以及桥接金属线。

可以理解的是，本发明的上述总体描述和以下的具体描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求的本发明的进一步解释。

附图说明

附图被包括用来提供对本发明的进一步理解，并结合于此而构成本申请的一部分。本发明的示例性实施例连同描述都用来解释本发明的原理。在附图中：

图1是示出了传统的LDMOS晶体管的平面图；

图2是示出了沿着A-A’方向截取的LDMOS晶体管的截面图。

图3是示出了沿着B-B’方向截取的图1的LDMOS晶体管的截面图。

图4是根据本发明的示例性实施例的LDMOS晶体管的截面图；以及