[发明专利]LDMOS晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，包括：

第一介电层，形成在衬底的上表面的正面区域上；

多个第二介电层，多层层叠在所述第一介电层的上表面的正面区域上；

多个接触插塞，在有源区中以预定的距离彼此隔开，并穿过所述第一和所述第二介电层；以及

桥接金属线，形成在所述第二介电层中，在水平方向上内部连接隔开的所述接触插塞。

2.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，其中，所述第一介电层是SiO2，以及其中所述第二介电层是硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)。

3.根据权利要求1所述的LDMOS晶体管，进一步包括：

接触阻挡层，形成在每个所述接触插塞和每个所述第二介电层之间以及每个所述接触插塞和所述第一介电层之间。

4.一种用于制造LDMOS晶体管的方法，包括：

在衬底的上表面的正面区域上形成第一介电层；

在所述第一介电层的上表面的正面区域上分别顺序形成具有不同密度的多个第二介电层；

通过刻蚀所述第一和所述第二介电层，敞开以预定距离彼此隔开的多个接触区；

在预定的具有不同密度的所述第二介电层中的具有最低密度的一个所述第二介电层中分别形成桥接金属线区，所述桥接金属线区在水平方向上穿过所述接触区；以及

通过在所述敞开的接触区和所述桥接金属线区中嵌入金属来形成以预定距离隔开的多个接触插塞和桥接金属线。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括：

在嵌入所述金属之前在所述接触区中形成接触阻挡层。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述多个所述第二介电层的步骤，包括：

在所述第一介电层上顺序地多层层叠所述第二介电层的预定的一些第二介电层；

在所述形成的所述第二介电层的预定的一些第二介电层上形成具有最低密度的所述第二介电层的一个；以及

在具有所述最低密度的所述第二介电层的所述一个上形成所述第二介电层的其它的第二介电层。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述第二介电层由硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中具有所述最低密度的所述第二介电层的一个的密度与其它的所述第二介电层的密度不同。

9.根据权利要求4所述的方法，其中形成桥接金属线的步骤包括：通过使用化学制品至少清洗一次所述敞开的接触区。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述清洗步骤包括：

在刻蚀所述第一和第二介电层之后，清洗所述敞开的接触区；

在嵌入金属之前，再次清洗所述敞开的接触区。