[发明专利]高纯碳化硅的生产工艺

权利要求书

1.一种由二氧化硅和炭黑抽取高纯碳化硅的生产工艺，其步骤是：(1)将杂质含量＜0.1％的二氧化硅和炭黑分别过0.0043mm筛，二氧化硅和炭黑以质量比1∶1.2混合后按固液比1∶4与浓度为60～80g/l的硫酸溶液调浆，置于加压釜中，控制釜内压力为1.2MPa，温度200℃，搅拌1～3小时，硫酸浸出后的渣液过滤得混合渣，用水洗涤至中性；(2)将混合渣制粒，粒径为3～4cm之间，放入电炉焙烧，温度在1600～1800℃之间，反应产物有一部分为硅以液体形式覆盖在产物表面，碳化硅由于比重大在下层界面，同时绝大部分杂质进入液相硅；将液固相分离，冷却，得到碳化硅；(3)将得到的碳化硅破碎，用浓度为80～120g/L的硫酸洗涤，洗涤时间为4～8小时，过滤，烘干得到杂质含量小于＜0.001％的高纯碳化硅，上述的所有百分比、液固比以及浓度含量均为质量百分比例或者质量百分比浓度含量。