[发明专利]一种柔性薄膜太阳能电池及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910206697.7 申请日: 2009-10-30
公开(公告)号: CN101714583A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: 杨立友;周曦;牛新伟 申请(专利权)人: 浙江正泰太阳能科技有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/075;H01L31/02;H01L31/20
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310052 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 柔性 薄膜 太阳能电池 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及太阳能电池制造工艺,特别涉及用于一种柔性薄膜太 阳能电池及其制备方法。

背景技术

随着现代工业的高速发展、技术快速的更新换代以及对能源的需 求,现在能源结构正在发生着根本性的变革。传统的能源:煤炭、 石油、天然气的使用量将在2020年-2040年到达高峰,而在2050 年后将会逐渐枯竭。可再生能源(主要是太阳能)等替代能源从2000 年开始迅猛发展,到2050年使用量将达到高峰。传统太阳能电池 是使用单晶硅或多晶硅薄片,其中硅材料应用较多,浪费严重,硅 元素提纯工艺复杂且成本太高。薄膜太阳能电池使用非晶硅或其他 材料,硅元素量使用很少或不使用硅材料,所以基本无原料瓶颈, 尤其是非晶硅薄膜太阳能电池,成本低且工艺成熟,所以发展很快, 成为目前薄膜太阳能电池最成熟的产品之一。

非晶微晶硅薄膜太阳能电池是新一代薄膜电池产业化技术中的 姣姣者,它以转换效率高、稳定性好、成本低廉等主要特点见长, 很可能成为光伏技术中首先实现电网等价点的主流技术。传统薄膜 电池是以玻璃衬底为基础制作的,玻璃既是一种很好的保护材料, 又具有良好的透光性,是一种绝佳的衬底材料。但是玻璃也有它的 局限性,如玻璃的不可弯曲性以及重量较重,影响它在某些特殊领 域中的应用。比较直接的如曲面型产品,像汽车顶棚的阳光窗,或 无人驾驶飞机上贴机翼安装的太阳能发电系统等;再如便携式、可 卷可折叠式充电系统等;另外,这些应用中很多共性的要求是系统 的重量比较轻,这对航空航天应用来说尤其重要。现有柔性薄膜太 阳能电池的衬底材料通常采用不锈钢薄膜和聚合物膜。由于不锈钢 薄膜成本高、分量重以及具有导电性,因此要满足以上这些应用的 需要,轻型聚合物膜是一种比较理想的衬底材料。它不导电,因此 可以用现成的激光切割工艺制造组件,而不需要将薄膜电池制成后 再切开,然后重新串联。聚合物衬底如聚酰亚胺(Kapton)薄膜具有耐 高低温、耐酸硷、耐溶剂、电气绝缘(H级)、防辐射、适合真空 制膜工艺、及厚度薄而拉力好等性能,是柔性太阳能电池的一种优 良选择。

如图1所示,其中示出一种传统的单结非晶硅薄膜太阳能电池 的层结构。该非晶硅薄膜太阳能电池是在透明基板1(主要是玻璃) 上依次沉积、溅射受光面电极2、光电转换层3、衬面电极4而形 成。作为透明基板1,可采用玻璃板、透明树脂膜等。受光面电极 2由例如ITO(锢锡氧化物)等透明导电性氧化物构成。从受光面 电极2侧开始,光电转换层3具有p型非晶硅层、i型非晶硅 层及n型非晶硅层的层积结构。衬面电极4由例如银、铝、钛、 铜等金属材料和ITO、SnO等金属氧化物的层积膜构成。

然而以前传统的薄膜电池工艺,不管是p-i-n结构还是n-i-p结构, 都有至少一道工序采用较高温度,即超过聚合物膜的最高承受温度 (约400℃)。如p-i-n结构中用氧化锡采用常压化学气相沉积法 (APCVD)形成作为电极的透明导电膜材料是在500℃左右的温度上 制备的;而在n-i-p结构中则要形成具备良好绒面结构的银层也是在 相当高的衬底温度下制备的。因此传统的工艺比较难以应用于柔性 聚合物衬底,即使改变工艺并降低镀膜温度,所制作的太阳能电池 的转换效率比较低,一般在5%以下,影响应用效果而且成本太高。

因此这种传统用于玻璃衬底的薄膜太阳能电池制造工艺难以直 接移植应用于制造以聚合物材料作为衬底的柔性薄膜太阳能电池的 制造。

发明内容

为了实现将传统玻璃衬底的薄膜太阳能电池制造工艺稍加修改 后应用于制造柔性衬底的薄膜太阳能电池,在此提出一种新型的柔 性薄膜太阳能电池及其制造方法。

根据本发明的一个方面,在此提供一种柔性薄膜太阳能电池, 其中包括如下结构:用柔性聚合物薄膜构成的进光面衬底;在进光 面衬底上淀积氧化锌形成的第一电极层;在第一电极层上由依次形 成的p型、i型和n型非晶硅层构成的光电转换层;以及在所述光电 转换层上淀积氧化锌形成的第二电极层。

根据本发明的另一个方面,在此提供一种柔性薄膜太阳能电池, 其中包括如下结构:用柔性聚合物薄膜构成的背光面衬底;在背光 面衬底上淀积氧化锌形成的第三电极层;在第三电极层上由依次形 成的n型、i型和p型非晶硅层构成的光电转换层;以及在所述光电 转换层上淀积氧化锌形成的第四电极层。

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