[发明专利]载置台有效
| 申请号: | 200910204159.4 | 申请日: | 2009-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN101728298A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
| 发明(设计)人: | 筱原荣一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66;G01R1/02;G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 载置台 | ||
技术领域
本发明涉及一种在进行晶片等被检查体的电特性检查时载置被检 查体的载置台,更详细地涉及用于例如鼓面状晶片那样具有被外周缘 部的环状突起包围的凹陷部的被检查体的载置台。
背景技术
一般,检查装置具有:搬送被检查体(例如晶片)的装载室;和 进行从装载室搬送的晶片的电特性检查的探测室。探测室具有:载置 晶片的可移动的载置台;在载置台的上方配置的探针卡;和进行晶片 的多个电极垫和探针卡的多个探针的对准的对准机构,对准后的晶片 的多个电极垫和多个探针进行电接触,根据来自测试器的检查用信号 进行规定的电特性检查。
例如图7(a)所示,载置台具有载置晶片(未图示)的顶板1和 与顶板1一体化的绝缘体2,构成为能够通过升降体3在XY台(未图 示)上升降。在顶板1的上面形成有吸附单元,晶片通过吸附单元被 吸附固定在顶板的上面。
在进行晶片的电特性检查时,晶片通过吸附单元被吸附固定在顶 板1的上面,然后载置台通过XY台在水平方向上移动,同时顶板1 通过升降体进行升降,晶片的多个电极垫和探针卡的多个探针进行电 接触,进行规定的电特性检查。
然后,如图7(b)所示,顶板1具有:例如氧化铝等陶瓷烧结体 1A;和在陶瓷烧结体1A的上面形成的由金等导电性金属构成的导体 覆膜1B。导体覆膜1B作为电极通过例如离子喷镀等形成。电极1B连 接在测试器侧,从测试器侧施加规定的检查用信号。另外,绝缘体2 由锆石堇青石(Zircon-Cordierite)等陶瓷烧结体形成。
现有技术的图7所示的载置台,为了如上所述在顶板1的陶瓷烧 结体1A的上面通过离子喷镀形成电极1B,如车载用的功率器件等, 施加高电压、高电流进行电特性检查时,在晶片的下面施加的Ag等金 属覆膜的金属成分向顶板1的电极1B移动,使电极1B变色,其表面 电阻变高,存在使检查的可靠性低下的问题。因此,在现有技术中, 当顶板1变色时,将载置台更换成新的载置台。
另外,关于晶片,例如,最近的晶片变得极薄,其搬送困难,因 此使用遍及晶片下面的外周缘部全周形成环状突起、防止晶片的变形 的鼓面状晶片。即使在使用鼓面状晶片的情况下,与使用其他晶片的 情况一样也存在载置台的顶板1的电极1B由于金属成分变色的问题。
另外,这种载置台例如在专利文献1、2中记载。专利文献1中的 载置台的顶板由石英、聚四氟乙烯等绝缘材料构成,在其上面通过金 蒸镀等形成导电体层,在其下面配置有密封部件。专利文献2中记载 了只在由绝缘材料构成的顶板的上面形成导体覆膜的载置台。
【专利文献1】日本特开昭63-138745
【专利文献2】日本特开昭62-291937
然而,在使用现有的载置台的情况下,由于重复进行利用高电压、 高电流的电特性检查,由于金属成分从晶片向顶板1的移动,使顶板1 的表面变色,表面电阻变高时,即使不更换顶板1以外的原本部件, 也要更换良好的载置台的构成部件,存在更换费用变高的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而完成的发明,其目的在于提供一种 即使通过使用高电压、高电流的电特性检查使顶板(载置体)变色, 也只更换载置台的载置体,不需要更换其它构成部件,能够削减更换 费用的载置台。
本发明第一方面记载的载置台,为了对被检查体的电特性检查而 载置所述被检查体,所述被检查体具有被遍及下表面的外周缘部全周 而形成的环状突起包围的凹陷部,该载置台的特征是,具有:具有所 述被检查体的载置面的载置体;和绝缘体,在其上可装卸地固定所述 载置体,所述载置体具有:按照与所述被检查体的凹陷部嵌合,且所 述载置面与所述被检查体的下表面接触的方式形成的载置部;和形成 在所述载置部的外侧,且接受所述环状突起的环状平面部,利用紧固 部件使所述载置体在所述环状平面部处固定于所述绝缘体。
另外,本发明第二方面记载的载置台的特征在于,在第一方面记 载的发明中,该载置台具有多个载置体,该多个载置体具有适合于多 个尺寸不同的所述被检查体的凹陷部的载置部。
另外,本发明第三方面记载的载置台的特征在于,在第一方面或 第二方面记载的发明中,所述载置体在所述载置面上形成有导体覆膜。
另外,本发明第四方面记载的载置台的特征在于,在第三发明记 载的发明中,在上述导体覆膜被污染时更换上述载置体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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