[发明专利]一种金属硅化物埋层的结构及其形成方法无效
| 申请号： | 200910201268.0 | 申请日： | 2009-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN101752408A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吴东平;张世理 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L23/522;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;盛志范 |
| 地址： | 20043*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属硅 化物埋层 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种金属硅化物埋层结构，其特征在于，该埋层结构包括至少一个半导体衬底和一层置于该半导体衬底内部的金属硅化物埋层。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的半导体衬底为单晶硅、多晶硅或者绝缘体上硅。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的金属硅化物是硅化钛、硅化钴、硅化镍或硅化铂，或者是它们之中几种的混合物。
4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述的金属硅化物埋层在水平方向上是间断不连续的埋层，或者是连续不间断的埋层。
5.一种金属硅化物埋层的形成方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：
提供一个半导体集成电路衬底；
在所述衬底上淀积一层绝缘介质；
对绝缘介质和衬底进行刻蚀形成一个或多个开口结构；
形成一层刻蚀阻挡层；
对刻蚀阻挡层进行刻蚀以露出用于形成金属硅化物的硅区；
淀积一层金属层并退火，使之与所述硅区中的硅形成金属硅化物；
去除残留的金属。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的绝缘介质为SiO2、Si3N4或者它们之间相混合的绝缘材料。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的刻蚀阻挡层由SiO2、Si3N4或者它们之间相混合的绝缘材料构成。
8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述的金属层为钛、钴、镍或铂，或者是它们之中几种的混合物。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，金属硅化物在形成时向各个方向扩展，在水平方向上连接成一个连续不间断的金属硅化物层；或者在水平方向上形成一个间断不连续的金属硅化物层。
10.一种集成电路芯片，其特征在于，该芯片上至少有一个半导体器件中含有如权利要求1所述的金属硅化物埋层结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910201268.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池的制造方法
- 下一篇：一种固体材料的强电场高温压缩实验装置及方法
- 同类专利
- 专利分类
