[发明专利]掩模版图、掩模版制造方法和掩模版图校正方法

权利要求书

1.一种掩模版制造方法，其特征在于，包括：

提供掩模版图形，其中，所述掩模版图形包括设计图形和至少一个辅助图形，所述辅助图形的尺寸不超过曝光分辨率，并且所述辅助图形在曝光之后形成对所述设计图形的曝光损失进行补偿的区域；

根据所述掩模版图，制作掩模版。

2.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述提供掩模版图形包括：

基于设计图形形成位于所述设计图形内部的辅助图形；

根据所述设计图形和所述辅助图形，形成掩模版图形。

3.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述设计图形与所述辅助图形呈相反的透光类型。

4.如权利要求3所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述设计图形和所述辅助图形的形成通过采用具有相反曝光类型的光刻胶层为掩模进行刻蚀。

5.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述辅助图形被设置为正方形、矩形、圆形、不规则多边形中的一种或多种形状。

6.如权利要求5所述的掩模版制造方法，其特征在于，所述辅助图形与所述设计图形具有相同的形状。

7.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，一个所述设计图形中包括一个所述辅助图形，所述辅助图形的中心位于所述设计图形的中心。

8.如权利要求1所述的掩模版制造方法，其特征在于，一个所述设计图形中包括多个所述辅助图形，所述辅助图形的中心相对于所述设计图形的中心呈中心对称。

9.一种掩模版图，包括：设计图形，用于根据曝光显影工艺以形成产品图形；其特征在于，所述掩模版图还包括：辅助图形，具有不超过曝光分辨率的尺寸，并且在曝光之后形成对所述设计图形的曝光损失进行补偿的区域。

10.如权利要求9所述的掩模版图，其特征在于，所述设计图形与所述辅助图形呈相反的透光类型。

11.如权利要求9所述的掩模版图，其特征在于，所述辅助图形为正方形、矩形、圆形、不规则多边形中的一种或多种形状。

12.如权利要求11所述的掩模版图，其特征在于，所述辅助图形与所述设计图形具有相同的形状。

13.如权利要求9所述的掩模版图，其特征在于，一个所述设计图形中包括一个所述辅助图形，所述辅助图形的中心位于所述设计图形的中心。

14.如权利要求9所述的掩模版图，其特征在于，一个所述设计图形中包括多个所述辅助图形，所述辅助图形的中心相对于所述设计图形的中心呈中心对称。

15.一种掩模版图校正方法，用于修正由于掩模版图相较于设计图形所产生的面积减小的失真，包括：

在设计图形中设置辅助图形，所述辅助图形的尺寸不超过曝光分辨率，且所述辅助图形在曝光之后形成补偿区域，用于修正所述设计图形由于失真所带来的面积减小；

对包括所述设计图形和所述辅助图形的所述掩模版图进行光学邻近校正。