[发明专利]封装基板的导通孔结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910201111.8 | 申请日： | 2009-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102097332A | 公开（公告）日： | 2011-06-15 |
| 发明（设计）人： | 林聪志;方仁广;罗光淋;孙骐;高洪涛;任金虎 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体(上海)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/48 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 封装 导通孔 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装基板的导通孔结构的制造方法，其特征在于：所述制造方法包含步骤：
提供一封装基板；
在所述封装基板上形成至少一圆形通孔；
在所述圆形通孔内对应形成一圆形导电部；以及
利用一具有非圆形截面的冲孔模具来冲压所述封装基板形成一非圆形通孔，所述非圆形通孔对应于所述圆形通孔并且将所述圆形通孔内部的所述圆形导电部分割成相互分离的至少二剩余部分而形成至少二导电通路。
2.如权利要求1所述的封装基板的导通孔结构的制造方法，其特征在于：所述圆形导电部为一附着于所述圆形通孔的内壁的金属层。
3.如权利要求1所述的封装基板的导通孔结构的制造方法，其特征在于：所述圆形导电部为一填满所述圆形通孔的圆形导电柱。
4.如权利要求1、2或3所述的封装基板的导通孔结构的制造方法，其特征在于：在形成所述圆形导电部时，选择利用电镀、无电电镀或印刷方式来形成所述圆形导电部。
5.如权利要求1所述的封装基板的导通孔结构的制造方法，其特征在于：所述冲孔模具的非圆形截面的形状选自十字形、米字形、矩形、三角形、正方形、星形、花朵形或椭圆形。
6.如权利要求1所述的封装基板的导通孔结构的制造方法，其特征在于：在形成所述导电通路之后，另包含：对所述导电通路进一步进行增厚加工。
7.如权利要求1或6所述的封装基板的导通孔结构的制造方法，其特征在于：在形成所述导电通路之后，另包含：在所述封装基板的至少一表面形成至少一表面线路层。
8.一种封装基板的导通孔结构，其特征在于：所述导通孔结构包含：
一圆形通孔，形成在一封装基板上；
至少二分离槽，其相互分离且沿着与基板平面垂直的方向凹设形成在所述圆形通孔的内壁面周围；以及
至少二导电通路，分别形成在各二相邻所述分离槽之间的所述圆形通孔的内壁面上。
9.如权利要求8所述的封装基板的导通孔结构，其特征在于：所述至少二导电通路为附着于所述圆形通孔的内壁的金属层或者是沿所述圆形通孔的内壁向通孔中心延伸的金属条。
10.如权利要求8所述的封装基板的导通孔结构，其特征在于：所述导电通路另包含一增厚部。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
