[发明专利]高分子PTC芯片及其应用

权利要求书

1.一种高分子PTC芯片，由两片金属箔电极以及夹在所述两片金属箔电极之间的高分子PTC复合导电材料层复合构成，所述高分子PTC复合导电材料由包括下列组分及体积百分配比的原料复合而成：

有机高分子聚合物  24.5％-40％；

导电陶瓷粒子      55％-75％

炭黑              0.5％-10％。

2.如权利要求1所述高分子PTC芯片，其特征在于，所述高分子PTC复合导电材料由包括下列组分及体积百分配比的原料复合而成：

有机高分子聚合物  26％-38％；

导电陶瓷粒子      55％-73.5％；

炭黑              0.5％-10％。

3.如权利要求1或2所述高分子PTC芯片，其特征在于，所述的有机高分子聚合物为热塑性聚合物。

4.如权利要求3所述高分子PTC芯片，其特征在于，所述热塑性聚合物选自聚乙烯、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-醋酸乙烯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物和聚偏氟乙烯。

5.如权利要求3所述高分子PTC芯片，其特征在于，所述热塑性聚合物为高密度聚乙烯。

6.如权利要求1、2或4所述高分子PTC芯片，其特征在于，所述的导电陶瓷粒子为IV族金属氮化物，或者IV族金属碳化物，或者他们的混合物。

7.如权利要求6所述高分子PTC芯片，其特征在于，所述IV族金属氮化物为氮化钛，所述IV族金属碳化物为碳化钛。

8.一种高分子PTC过流保护元件，含有权利要求1-7任一所述高分子PTC芯片。