[发明专利]SCR静电保护器件

权利要求书

1.一种SCR静电保护器件，其特征在于所述器件包括：

第一P阱和第一N阱，位于衬底内，所述第一P阱和所述第一N阱相连；

深N阱，位于所述衬底内，且位于所述第一N阱下方，和所述第一N阱相连；

第二N阱，位于所述第一P阱内，且将所述第一P阱分成两部分；

第二P阱，位于所述第一N阱内，且将所述第一N阱分成两部分。

2.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述衬底为P型衬底。

3.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述第二N阱将所述第一P阱分成第一部分和第二部分，所述第二P阱将所述第一N阱分成第一部分和第二部分，其中所述第一P阱的第二部分和所述第一N阱的第一部分相邻。

4.根据权利要求3所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述器件还包括：

第一P⁺扩散层和第一N⁺扩散层，分别位于所述第一P阱的第一部分和第二部分表面，其中所述第一N⁺扩散层和所述第二N阱相连；

第二N⁺扩散层和第二P⁺扩散层，分别位于所述第一N阱的第一部分和第二部分表面，其中所述第二P⁺扩散层和所述第二P阱相连。

5.根据权利要求4所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述第一P⁺扩散层和所述第一N⁺扩散层连接阴极，所述第二P⁺扩散层和所述第二N⁺扩散层连接阳极。

6.根据权利要求1所述的SCR静电保护器件，其特征在于所述器件应用于触发电压为10伏特至100伏特的半导体静电保护电路中。