[发明专利]单芯片式白光发光二极管元件

权利要求书

1.一种单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述单芯片式白光发光二极管元件包括：

第一半导体层，其具有第一掺杂型式；

红光锌锰硒碲量子井，设置于所述第一半导体层上；

第一位障层，设置于所述红光锌锰硒碲量子井上；

绿光发光层，设置于所述第一位障层上，所述绿光发光层包括多个绿光量子点；

第二位障层，设置于所述绿光发光层上；

蓝光发光层，设置于所述第二位障层上，所述蓝光发光层包括多个蓝光量子点；

第三位障层，设置于所述蓝光发光层上；以及

第二半导体层，设置于所述第三位障层上，所述第二半导体层具有第二掺杂型式。

2.如权利要求1所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述红光锌锰硒碲量子井的锰的原子浓度介于2％与5％之间；所述红光锌锰硒碲量子井的碲的原子浓度介于3％与7％之间。

3.如权利要求1所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述红光锌锰硒碲量子井的厚度介于1纳米与5纳米之间。

4.如权利要求1所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述绿光量子点与所述蓝光量子点为相同材质，且所述蓝光量子点的尺寸小于所述绿光量子点的尺寸。

5.如权利要求4所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述绿光量子点包括绿光硒化镉量子点，所述蓝光量子点包括蓝光硒化镉量子点；或者，所述绿光量子点包括绿光碲化锌量子点，所述蓝光量子点包括蓝光碲化锌量子点。

6.如权利要求1所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述绿光发光层的厚度介于2.5与3原子层之间；所述绿光发光层的绿光量子点的密度介于5*10⁸cm^-2与10⁹cm^-2之间。

7.如权利要求1所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述蓝光发光层的厚度介于1.5与2.5原子层之间；所述蓝光发光层的蓝光量子点的密度介于5*10⁸cm^-2与10⁹cm^-2之间。

8.如权利要求1所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述第一半导体层为P型半导体层，所述第二半导体层为N型半导体层。

9.如权利要求1所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述第一位障层包括硒化锌层，所述第二位障层包括硒化锌层，所述第三位障层包括硒化锌层。

10.如权利要求1所述的单芯片式白光发光二极管元件，其特征在于，所述单芯片式白光发光二极管元件还包括缓冲层，所述缓冲层设置于所述第一半导体层与所述红光锌锰硒碲量子井之间；所述缓冲层包括未掺杂硒化锌层。