[发明专利]高性能脉冲式存储电路有效

专利信息
申请号: 200910179725.0 申请日: 2009-09-30
公开(公告)号: CN101714398A 公开(公告)日: 2010-05-26
发明(设计)人: C·-W·黄;M·W·小弗里德里克;S·A·克文塔;K·K·尼克 申请(专利权)人: ARM有限公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C29/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 柯广华;王丹昕
地址: 英国*** 国省代码: 英国;GB
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摘要:
搜索关键词: 性能 脉冲 存储 电路
【权利要求书】:

1.一种状态存储电路,包含:

用于接收输入数据的操作数据输入,用于接收诊断数据的诊断数据输入以及诊断选择信号输入;

存储元件,用于存储指示从所述操作数据输入与所述诊断数据输入中之一所收到的数据的值;

输出,用于输出存储在所述存储元件中的所述值;

脉冲发生器,用于响应于时钟信号而产生脉冲,所述脉冲发生器包含诊断输出与功能输出,并响应在所述诊断选择信号输入接收到诊断使能信号以在所述诊断输出输出所述产生的脉冲而不在所述功能输出输出所述产生的脉冲,且响应在所述诊断选择信号输入接收到诊断失能信号以在所述功能输出输出所述产生的脉冲而不在所述诊断输出输出所述产生的脉冲;

操作路径开关,用于接收来自所述功能输出的所述脉冲,且响应接收到所述脉冲中的每个脉冲以提供从所述操作数据输入至所述存储元件的传输路径,并响应没有接收到脉冲以将所述存储元件与所述操作数据输入隔离;以及

诊断路径开关,用于接收来自所述诊断输出的所述脉冲,且响应接收到所述脉冲中的每个脉冲以提供从所述诊断数据输入至所述存储元件的传输路径,并响应没有接收到脉冲以将所述存储元件与所述诊断数据输入隔离。

2.如权利要求1所述的状态存储电路,其中

所述操作路径开关包含插入电路,所述插入电路响应接收到来自所述功能输出的所述脉冲以将在所述操作数据输入的所述数据驱动到所述存储元件,且响应没有接收到脉冲以将所述存储元件与所述操作数据输入隔离;以及

所述诊断路径开关包含插入电路,所述插入电路响应接收到来自 所述诊断输出的所述脉冲以将在所述诊断数据输入的所述数据驱动到所述存储元件,且响应没有接收到脉冲以将所述存储元件与所述诊断数据输入隔离。

3.如权利要求2所述的状态存储电路,其中,所述操作路径开关包含三态反相器,所述三态反相器响应接收到来自所述功能输出的所述脉冲中之一以将在所述操作数据输入所接收的数据驱动到所述存储元件;以及

所述诊断路径开关包含三态反相器,所述三态反相器响应接收到来自所述诊断输出的所述脉冲中之一以将在所述诊断数据输入所接收的数据驱动到所述存储元件。

4.如权利要求2所述的状态存储电路,其中,所述操作路径开关包含反相器与传输门,所述传输门响应从所述功能输出所输出的所述脉冲;以及

所述诊断路径开关包含反相器与传输门,所述传输门响应从所述诊断输出所输出的所述脉冲。

5.如权利要求1所述的状态存储电路,其中,所述诊断选择信号输入包含诊断使能信号输入,且所述诊断使能信号是在所述诊断使能信号输入接收的具有预定逻辑电平的信号,且所述诊断失能信号是在所述诊断使能信号输入接收的具有相反逻辑电平的信号。

6.如权利要求1所述的状态存储电路,其中,所述存储元件包含锁存器电路。

7.如权利要求6所述的状态存储电路,其中,所述存储元件包含响应从所述功能输出与所述诊断输出二者所输出的脉冲的双三态反相器和设置在反馈回路中的反相器。

8.如权利要求1所述的状态存储电路,其中,所述脉冲发生器包含两个脉冲发生器,所述脉冲发生器中之一包含所述功能输出且响应于所述时钟信号及所述诊断失能信号的接收而产生脉冲,且所述脉冲发生器中的第二个包含所述诊断输出且响应于所述时钟信号及所 述诊断使能信号的接收而产生脉冲。

9.如权利要求1所述的状态存储电路,其中,所述脉冲发生器包含用于给所述时钟信号增加延迟的延迟电路,所述脉冲发生器包含用于组合所述时钟信号与所述经延迟的时钟信号以产生所述脉冲信号的电路。

10.如权利要求9所述的状态存储电路,其中,所述用于组合所述时钟信号与所述经延迟的时钟信号的电路包含两个AND门,第一AND门包含用于接收所述时钟信号、所述经延迟的时钟信号及所述诊断失能信号的正指示的三个输入且包含一个输出,所述输出包含所述脉冲发生器的所述功能输出,以及第二AND门包含用于接收所述时钟信号、所述经延迟的时钟信号及所述诊断使能信号的正指示的三个输入且包含一个输出,所述输出包含所述脉冲发生器的所述诊断输出。

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