[发明专利]显示器件及其制造方法

说明书

本申请是以下申请的分案申请：申请日：2005年9月15日；申请号：200510104144.2；发明名称：“显示器件及其制造方法”。 

技术领域

本发明涉及一种显示器件及其制造方法。 

背景技术

EL元件在发光特性方面有一个问题是，当驱动一定期间后，发光亮度和发光均匀度等发光特性与初期相比严重劣化。该低可靠性是限制实际应用的一个主要因素。 

使可靠性劣化的一个主要因素是从外面进入EL元件的水分或氧气。 

因此，已经开发了具有防止EL元件劣化的结构的显示器件。此外，存在一种这样的方法：在形成有EL元件的绝缘体上形成密封材料，并且覆盖材料和密封材料包围着的密封空间以由树脂等制成的填充剂填充，因此，将EL元件与外部阻隔(例如，参考文件1：日本专利申请公开No.2001-203076)。 

发明内容

本发明的一个目的是提供一种以低成本、高成品率且不经复杂的工序、设备制造具有较高可靠性并具有优良的电特性的显示器件的方法 

根据本发明，由接触中的开口引起的台阶被绝缘层覆盖以降低高低差异，并且被处理成坡度小的形状。布线等与绝缘层接触而形成，因此布线等的被覆盖性增强。此外，由污染物质比如水等引起的发光元件的劣化可通过用密封材料将包含具有水渗透性的有机材料的层密封在显示器件中，且使密封材料与含有有机材料的层不连接来防止。由于密封材料形成在显示器件中的驱动器电路区的一部分中，因此可以实现显示器件的帧边框狭窄化。 

作为能够应用本发明的一种显示器件，包括一种发光显示器件，该发光显示器件所包括的发光元件在电极之间夹包含发射被称为场致发光 (下文称为EL)的有机材料或者有机材料和无机材料的混合物的层并且发光元件连接到TFT。 

本发明的显示器件之一，包括：像素区；连接区，其中，在像素区中具有包含杂质区的半导体层，在半导体层上具有栅绝缘层，在栅绝缘层上具有栅电极层，在栅电极层上具有第一层间绝缘层，栅绝缘层和第一层间绝缘层具有到达杂质区的第一开口，在第一开口中具有源电极或漏电极层，其中源电极或漏电极层中间夹所述第一层间绝缘层覆盖栅电极层的一部分，在源电极或漏电极层上和第一层间绝缘层上具有第二层间绝缘层，第二层间绝缘层具有达到源电极或漏电极层的第二开口，第二开口设置在中间夹第一层间绝缘膜覆盖一部分栅电极层的源电极或漏电极层中，第二开口中具有包括间隔物的第一电极层，在连接区中具有设置在第一层间绝缘层上的布线层，在布线层之上设置到达布线层的第三开口的第二层间绝缘层，其中第三开口的上部边缘部分被绝缘层覆盖，以及在第三开口中具有与绝缘层接触的第二电极层。 

本发明显示器件之一，包括：像素区；连接区；其中，在像素区中具有包括杂质区的半导体层，在半导体层上具有栅绝缘层，在栅绝缘层上具有栅电极层，在栅电极层上具有第一层间绝缘层；在栅绝缘层和第一层间绝缘层中具有到达杂质区的第一开口；在第一开口具有源电极或漏电极层，其中源电极或漏电极层中间夹所述第一层间绝缘层而覆盖栅电极层的一部分，在源电极或漏电极层上和第一层间绝缘层上具有第二层间绝缘层，其中第二层间绝缘层具有达到源电极或漏电极层的第二开口，第二开口设置在中间夹第一层间绝缘层覆盖一部分栅电极层的源电极或漏电极层中，在第二开口中具有包括间隔物的第一电极层，在连接区中具有设置在第一层间绝缘层上的布线层，设置有到达布线层的第三开口的第二层间绝缘层被设置在布线层之上，其中第三开口的上部边缘部分被绝缘层覆盖，第三开口中具有与绝缘层接触的第二电极层，以及在第一层间绝缘层上具有密封材料，其中所述密封材料与所述绝缘层不接触。 

在上述结构中，间隔物和绝缘层可以如图18那样彼此分离。还可以如图22所示那样连续地连接在一起。该间隔物不仅当在用作像素电极层的第一电极层上形成场致发光层时，被用来当作这时所使用的掩模的间隔物，而且在形成场致发光层并用密封衬底执行密封而完成显示器件之后，被用来当作防止因受外部压力或冲击在显示器件中产生损坏或变形 的间隔物。