[发明专利]基板处理系统有效
申请号: | 200910168563.0 | 申请日: | 2009-08-19 |
公开(公告)号: | CN101710564A | 公开(公告)日: | 2010-05-19 |
发明(设计)人: | 梶原拓伸;太田义治 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/677;G03F7/16;G03F7/26 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 系统 | ||
1.一种基板处理系统,其特征在于:
该基板处理系统为按照工艺流程的顺序连接多个处理单元对被处理基板实施一系列处理的串联型的基板处理系统,包括:
第一生产流水线,该第一生产流水线具有:在系统长度方向上,在第一方向上,使第一组的处理单元相邻接,或者经由搬送系统单元配置成一列,以平流方式搬送基板的第一去程平流搬送部、和与该第一去程平流搬送部相比在工艺流程的下游侧以平流方式搬送基板的第二去程平流搬送部;
第二生产流水线,在系统长度方向上,在与所述第一方向相反的第二方向上,使与所述第一生产流水线相比位于工艺流程的下游侧的第二组的处理单元相邻接,或者经由搬送系统单元配置成一列,与所述第一生产流水线在系统宽度方向隔开规定尺寸的中庭空间平行延伸;
第三组的处理单元,该第三组的处理单元被配置在所述中庭空间;和
第一搬送装置,该第一搬送装置被配置在所述中庭空间,从所述第一去程平流搬送部的终端侧的基板交接部搬出各基板并向所述第三组的处理单元之一搬送,将由所述第三组的处理单元之一处理完的各基板从该处理单元搬出并将其搬入到所述第二去程平流搬送部的始端侧的基板交接部。
2.如权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于:
所述第三组的处理单元含有对基板的处理内容以及时间实质上相同的第一和第二处理单元,对于经由所述第一去程平流搬送部依次送来的基板交替地反复对所述第一和第二处理单元进行分配。
3.如权利要求2所述的基板处理系统,其特征在于:
所述第一搬送装置具有能够在设置于所述中庭空间的搬送区域移动的搬送机器,
所述第一和第二处理单元在系统长度方向上将所述搬送区域夹在其间互相相对地被配置在所述中庭空间。
4.如权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于:
所述第一和第二处理单元与所述搬送区域邻接配置,
所述搬送机器相对于所述第一和第二处理单元对基板直接进行搬入搬出。
5.如权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于:
在所述中庭空间设置有为了向所述第一处理单元搬入搬出基板而在所述第一处理单元之外和其中连续的第一中庭平流搬送部,
所述搬送机器相对于所述第一处理单元经由所述第一中庭平流搬送部对所述基板进行搬入搬出。
6.如权利要求5所述的基板处理系统,其特征在于:
所述第一中庭平流搬送部具有:与所述搬送区域邻接设置的第一中庭基板搬入通路;设置在所述第一处理单元内,能够与所述第一中庭基板搬入通路连接的第一单元内搬送通路;和从所述第一处理单元观察能够在与所述第一中庭基板搬入通路相反一侧与所述第一单元内搬送通路连接,通过所述第一处理单元的上或者下而延伸至邻接所述搬送区域的终端位置的第一中庭基板搬出通路,
在向所述第一处理单元搬入基板时,在所述第一中庭基板搬入通路和所述第一单元内搬送通路上搬送基板,
在从所述第一处理单元搬出基板时,在所述第一单元内搬送通路和所述第一中庭基板搬出通路上搬送基板。
7.如权利要求5所述的基板处理系统,其特征在于:
所述第一中庭平流搬送部具有:邻接所述搬送区域分上下两段设置的能够升降的第一中庭基板搬入通路以及第一中庭基板搬出通路、和设置在所述第一处理单元内,能够选择性地与所述第一中庭基板搬入通路和所述第一中庭基板搬出通路的任一个连接的第一单元内搬送通路,
在向所述第一处理单元搬入基板时,所述第一中庭基板搬入通路的高度位置与所述第一单元内搬送通路相吻合,在所述第一中庭基板搬入通路和所述第一单元内搬送通路上在系统的长度方向的第一方向上搬送基板,
在从所述第一处理单元搬出基板时,所述第一中庭基板搬出通路的高度位置与所述第一单元内搬送通路相吻合,在所述第一单元内搬送通路和所述第一中庭基板搬出通路上在系统的长度方向的第二方向上搬送基板。
8.如权利要求3、5~7中任一项所述的基板处理系统,其特征在于:
在所述中庭空间设置有为了向所述第二处理单元搬入搬出基板而在所述第二处理单元之外和其中连续的第二中庭平流搬送部,
所述搬送机器相对于所述第二处理单元经由所述第二中庭平流搬送部对所述基板进行搬入搬出。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造