[发明专利]固体摄像装置及其制造方法

说明书

本申请基于2009年8月19日提交的日本专利申请第2008-210841号， 并要求享有其优先权，通过引用将其全部内容结合到本申请中。

技术领域

本发明涉及固体摄像装置及其制造方法，例如是可以应用于MOS型固 体摄像装置等的固体摄像装置及其制造方法。

背景技术

以CMOS传感器为首的固体摄像装置目前被应用于例如数码相机和摄 像机、或者监视摄像头等多种用途。其中，以单一像素阵列取得多种色彩 信息的单板式摄像元件占据主流地位。

然而，受近年来的多像素化和缩小光学尺寸的要求所影响，出现了像 素尺寸缩小的倾向。例如，近年来被数码照相机等所广泛使用的CMOS传 感器的像素尺寸为1.4μm～2.8μm左右的细微尺寸。

作为与这种细微像素相对应的结构，已知有例如背面照射型的固体摄 像装置(例如日本特开2006-128392号公报)。在背面照射型固体摄像装 置中，入射光照射到与形成有信号扫描电路及其布线层的硅(Si)表面(表 面)相反一侧的硅(Si)表面(背面)上。在按照这种方式从与形成有信 号扫描电路及其布线层的硅(Si)表面侧相反一侧的硅(Si)表面入射的背 面照射型结构中，入射到像素上的光不会被布线层阻碍，并能够到达在硅 (Si)基板内形成的受光区域。因此，即使在细微的像素中也能够实现较 高的量子效应。

发明内容

与本发明的一个实施方式相关的固体摄像装置包含：包括：摄像区域， 在半导体基板上配置包含光电变换部和信号扫描电路部的单位像素阵列而 成；驱动电路区域，在半导体基板上配置用于驱动所述信号扫描电路部的 驱动电路而成；第1焊盘(pad)，设置在受光面一侧的所述半导体基板上 的周边区域，所述受光面形成在与形成有所述信号扫描电路部的基板表面 相反一侧的基板表面上；以及第2焊盘，设置在形成有所述信号扫描电路 部的一侧、仅配置于在所述半导体基板的厚度方向上与所述摄像区域重合 的位置。。

与本发明的一个实施方式相关的固体摄像装置制造方法包含以下工 序：在与半导体基板的光照射面相反一侧的表面上形成信号扫描电路部； 在所述信号扫描电路部上形成第1支承基板；在所述半导体基板的光照射 面一侧的表面上形成光电变换部；在所述半导体基板的周边区域形成第1 通路，该第1通路从所述半导体基板的光照射面一侧的表面上开始直到所 述信号扫描电路部，并且形成第1焊盘，该第1焊盘从所述第1通路中开 始直到所述光照射面一侧的半导体基板表面上；在所述光照射面一侧的所 述半导体基板的表面上形成连接构件；在所述连接构件上形成第2支承基 板；以及仅在所述周边区域以外的摄像区域内形成第2通路，该第2通路 从所述第1支承基板的表面上开始直到所述信号扫描电路部，并且形成第2 焊盘，该第2焊盘从所述第2通路中开始直到所述信号扫描电路部一侧的 半导体基板的表面上。

附图说明

图1是表示与本发明的第1实施方式相关的固体摄像装置的整体结构 实例的框图。

图2是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置所具有的像素阵列的 等效电路图。

图3是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的平面结构实例(光 照射面一侧)的平面图。

图4是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的平面结构实例(信 号扫描电路形成面一侧)的平面图。

图5是表示沿图3、图4中的V-V线的截面结构实例的剖视图。

图6是用于说明与第1实施方式相关的滤色片的配置的平面图。

图7是表示与第1实施方式相关的单位像素的截面结构实例的剖视图。

图8是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的一个制造工序的剖 视图。

图9是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的一个制造工序的剖 视图。

图10是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的一个制造工序的剖 视图。

图11是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的一个制造工序的剖 视图。

图12是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的一个制造工序的剖 视图。

图13是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的一个制造工序的剖 视图。

图14是表示与第1实施方式相关的固体摄像装置的一个制造工序的剖 视图。