[发明专利]非易失性存储器设备及非易失性存储器设备的擦除方法

说明书

技术领域

本发明涉及非易失性存储器设备及其擦除方法，以及非易失性存储器设 备的实现。

背景技术

易失性和非易失性存储器被越来越多的应用到移动设备中，例如MP3播 放器、个人多媒体播放器(PMP)、移动电话、笔记本电脑、个人数字助理(PDA) 等等。这些移动设备需要具有更大的存储能力的存储单元用于提供多种功能 (例如，播放动图)。更大容量存储单元的一个例子是多比特存储器设备，其 中每个存储单元存储多比特数据(例如，2个或更多个比特的数据)。为清楚 起见，以下将存储多比特数据的存储单元称为多电平单元(MLC)。

非易失性存储器中的一种是闪速存储器，它能以包括数十到数百字节的 块为单位擦除数据，并且能以字节或页为单位记录数据。闪速存储器通常具 有两种类型：NOR和NAND。在NOR型闪速存储器中，存储单元以并联方 式连接，然而在NAND型闪速存储器中，存储单元以串联的方式连接。NAND 型闪速存储器通常用于数据存储，其中用于图像数据、音乐数据、声音数据 等等的数据文件被连续的记录和读取。在NAND型闪速存储器中，在串选择 晶体管和接地选择晶体管之间连接存储单元串。在擦除操作期间，串和接地 选择晶体管具有浮置栅极，因而将受到在擦除操作期间施加到存储单元、基 底等的电压的影响。结果，擦除操作能够不利地增加串和接地选择晶体管的 阈电压。

发明内容

示例性实施例提供了非易失性存储器设备和/或对其进行擦除的方法。

在一个实施例中，一种用于包含至少具有串联连接的第一和第二可编程 晶体管的存储阵列的存储器的擦除方法包括：在擦除操作期间限制从第一可 编程晶体管进入到第二可编程晶体管的电子流动。

例如，所述限制操作可以向第一可编程晶体管的控制栅极施加第一电压。 该方法还可以包括向包括第一和第二可编程晶体管的基底的至少一部分施加 第二电压。并且，第一电压可以小于第二电压。

存储器的实施例可以包括具有多个存储器串的存储阵列。至少一个存储 器串包括串联连接到多个存储单元晶体管的第一选择晶体管和第二选择晶体 管。第一选择晶体管、第二选择晶体管和所述多个存储单元晶体管是可编程 晶体管。所述存储器进一步包括驱动单元和控制单元。所述驱动单元被配置 为向多条字线施加电压。所述多条字线中的每一条字线分别连接到所述多个 存储单元晶体管中的一个存储单元晶体管的栅极。所述驱动单元还被配置为 分别向连接到第一和第二选择晶体管的栅极的第一和第二选择线施加电压。 所述控制单元被配置为控制所述驱动单元以使得，在擦除操作期间，限制从 第一选择晶体管进入到第二选择晶体管的电子的流动。

例如，所述控制单元被配置为控制所述驱动单元向第一选择晶体管的控 制栅极施加第一电压。

控制单元还可以被配置为控制所述驱动单元在擦除操作期间向包括所述 多个存储单元晶体管的基底的至少一部分施加第二电压。第一电压可以小于 第二电压。

在另一个实施例中，存储器包括具有多个存储器串的存储阵列。至少一 个存储器串包括串联连接到多个存储单元晶体管的第一选择晶体管。第一选 择晶体管和所述多个存储单元晶体管是可编程晶体管。所述存储器进一步包 括驱动单元和控制单元。所述驱动单元被配置为向多条字线施加电压。所述 多条字线中的每一条字线分别连接到所述多个存储单元晶体管中的一个存储 单元晶体管的栅极。所述驱动单元还被配置为向连接到第一选择晶体管的栅 极的第一选择线施加电压。所述控制单元被配置为控制所述驱动单元以使得， 在擦除操作期间，限制从所述多个存储单元选择晶体管进入到第一选择晶体 管的电子的流动。

例如，所述控制单元被配置为控制所述驱动单元向第一选择晶体管的控 制栅极施加第一电压。

所述控制单元还可以被配置为控制所述驱动单元在擦除操作期间向包括 所述多个存储单元晶体管的基底的至少一部分施加第二电压。第一电压可以 小于第二电压。

本发明还涉及非易失性存储器设备的实现。