[发明专利]非易失性存储器设备及非易失性存储器设备的擦除方法

权利要求书

1.一种用于擦除存储器的方法，该存储器包括至少具有串联连接的第一 和第二可编程晶体管的存储阵列，该方法包括：

在擦除操作期间，限制从第一可编程晶体管进入到第二可编程晶体管的 电子流动；

向包括第一和第二可编程晶体管的基底的至少一部分施加第二电压；以 及

向与第一和第二可编程晶体管关联的至少一个可编程存储单元晶体管的 栅极施加第三电压以使得所述存储单元晶体管达到擦除状态，

其中第一可编程晶体管和第二可编程晶体管中的至少一个是可编程选择 晶体管，

其中所述限制向第一可编程晶体管或第二可编程晶体管的控制栅极施加 第一电压，

其中第一电压高于第三电压且低于第二电压。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

允许第二可编程晶体管的栅极浮置。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述限制基于第二电压施加第一电压。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述限制在施加第二电压一段时间之 后施加第一电压。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述限制施加第一电压以使得第一电 压与第二电压成比例。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述存储阵列包括串联连接的多个可 编程存储单元晶体管，并且第一可编程选择晶体管和第二可编程选择晶体管 串联连接到所述多个可编程存储单元晶体管，并且其中

所述限制将第一电压施加到作为第一可编程晶体管的第一可编程选择晶 体管。

7.如权利要求1所述的方法，其中所述存储阵列包括串联连接到可编程 选择晶体管的多个可编程存储单元晶体管，并且其中

所述限制将第一电压施加到作为第二可编程晶体管的可编程选择晶体 管，并且第一可编程晶体管是邻近第二可编程晶体管的可编程存储单元晶体 管。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述存储阵列包括串联连接的多个可 编程存储单元晶体管，第一可编程选择晶体管和第二可编程选择晶体管串联 连接到所述多个可编程存储单元晶体管的第一端，第三可编程选择晶体管和 第四可编程选择晶体管串联连接到所述多个可编程存储单元晶体管的第二 端，并且其中

所述限制将第一电压施加到作为第一可编程晶体管的第一可编程选择晶 体管。

9.一种存储器，包括：

具有多个存储器串的存储阵列，至少一个存储器串包括串联连接到多个 存储单元晶体管的第一选择晶体管和第二选择晶体管，并且第一选择晶体管、 第二选择晶体管和所述多个存储单元晶体管是可编程晶体管；

驱动单元，被配置为向多条字线施加电压，所述多条字线中的每一条分 别连接到所述多个存储单元晶体管中的一个存储单元晶体管的栅极，并且所 述驱动单元配置为分别向连接到第一和第二选择晶体管的栅极的第一和第二 选择线施加电压；以及

控制单元，被配置为控制所述驱动单元以使得，在擦除操作期间，限制 从第一选择晶体管进入到第二选择晶体管的电子流动。

10.如权利要求9所述的存储器，其中第一选择晶体管是虚设选择晶体 管且具有与所述多个存储单元晶体管相同的大小，并且第二选择晶体管比所 述多个存储单元晶体管大。

11.如权利要求9所述的存储器，其中所述控制单元被配置为控制所述 驱动单元向第一选择晶体管的控制栅极施加第一电压。

12.如权利要求11所述的存储器，其中所述控制单元被配置为，在擦除 操作期间，控制所述驱动单元向包括所述多个存储单元晶体管的基底的至少 一部分施加第二电压。

13.如权利要求12所述的存储器，进一步包括：

在擦除操作期间向所述多个存储单元晶体管中的至少一个存储单元晶体 管的栅极施加第三电压，以使该存储单元晶体管达到擦除状态。

14.如权利要求13所述的存储器，其中第一电压大于第三电压高且低于 第二电压。