[发明专利]一种使用SDRAM实现时域卷积交织和解交织的方法无效
申请号: | 200910153334.1 | 申请日: | 2009-10-15 |
公开(公告)号: | CN101697491A | 公开(公告)日: | 2010-04-21 |
发明(设计)人: | 谢磊;陈惠芳;李珊;王匡 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H03M13/23 | 分类号: | H03M13/23 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 使用 sdram 实现 时域 卷积 交织 和解 方法 | ||
技术领域
本发明属于数字通信交织领域,涉及在数字电视广播传输中使用SDRAM (同步动态随机存储器)实现对传输数据进行时域卷积交织和解交织的方法。
背景技术
交织是移动通信系统中不可缺少的一部分。交织器的作用是将数据或数据 块的发送顺序打乱,目的在于减少数据或数据块在传送过程中出现的突发错 误。相反,解交织器的作用是将原先打乱的数据序列恢复成原来的数据序列。
卷积交织是交织技术的一种。一个典型的卷积交织器需要的存储容量为 B×(B-1)×M/2个符号单元,其中变量B表示交织支路数目,变量M表示交织 延迟周期。国家的DTMB标准中就应用了卷积交织作为时域交织,其中B为52 条支路,M为240或720个符号。
图1表示了卷积交织器和解交织器的原理。交织器输入端的输入符号数据 按顺序分别进入B条支路延迟器,每一路延迟不同的符号周期,第一路无延 迟,第二路延迟M个符号周期,第二路延迟2M个符号周期,…,第B路延迟 (B-1)M个符号周期。交织器的输出端按输入端的工作节拍分别同步输出对应 支路经过延迟的数据。解交织器的各个支路的延迟周期与交织器相反,第一路 延迟(B-1)M个符号周期,第二路延迟(B-2)M个符号周期,…,第B路则无延 迟。
当B和M值较大时,使用片上存储器资源消耗过大,采用成本低、容量 大、速度高的SDRAM是较好的方案。SDRAM利用行列地址复用的技术访问芯片 内部单元,采用了多体(Bank)存储器结构和突发模式,能连续传输一整块而 不是一段数据,在高速数据采集系统中具有很大的应用价值。
利用SDRAM进行数据的读写,需要有若干时钟周期来选通行列地址,并且 为保持SDRAM上的数据不丢失,必须定时刷新。SDRAM高效的工作模式就在于 使每次在存储单元的相同行尽量多的去读写连续地址的数据,这样准备时间就 只占去了较少的时间。在向非连续地址传输数据时,由于SDRAM需要消耗较长 的时间用于选通地址,所以会导致SDRAM的性能大大降低。
发明内容
本发明的目的是提供一种使用SDRAM实现时域卷积交织和解交织的方法。
本发明方法包括实现时域卷积交织方法和实现时域卷积解交织方法。
本发明中实现时域卷积交织方法的具体步骤是:
步骤I.计算一帧数据交织时在每条交织支路中所需要交织的符号数 T(i):
其中L为数据帧的长度,B为交织支路数,i为当前支路号 (i=0,1,2,...,B-1),mod为取余运算。
步骤II.计算一帧数据交织时在每条交织支路的起始地址in_addr(i):
in_addr(i)=in_bs(i)+in_bn(i),i=1,2,...,B-1;
其中in_bs(i)为第i支路在SDRAM中的首地址,in_bn(i)为第i支路内的相对地 址。
交织的第0支路为直通支路,不经过SDRAM,第1支路在SDRAM中的首地址 in_bs(1)为0单元,则:
in_bs(i)=in_bs(i-1)+temp1(i)-M,i=2,3,...,B-1;
其中temp1(i)=temp1(i-1)+M,temp1(1)=M,M表示交织延迟周期。
当交织数据为第一帧数据时,每个支路的in_bn(i)均为0,当交织数据不是 第一帧数据时,则
in_bn(i)=(in_bnp(i)+T(i))mod(iM),i=1,2,...,B-1;
其中in_bnp(i)表示前一帧交织数据访问第i条支路内的相对地址。
步骤III.计算存放交织前后数据帧的SRAM(静态随机存储器)的地址。
交织时,第i支路需交织的T(i)个数据将从存放未交织数据帧的SRAM1中的 T(i)个单元得到;此支路交织后的T(i)个数据要存入寄存交织后数据帧的SRAM2 的T(i)个单元中。此时SRAM1和SRAM2的T(i)个读写地址相同,对应第i交织支路 为:i,B+i,2B+i,...,(T(i)-1)B+i,i=1,2,...,B-1。
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