[发明专利]处理装置

说明书

技术领域

本发明涉及在处理容器内以包围例如FPD(平板显示器：Flat PanelDisplay)用的玻璃基板等被处理体的方式设置整流部件，并向该处理体供给处理气体进行处理的技术。

背景技术

在LCD(Liquid Crystal Display：液晶显示器)的制造工序中，存在对在玻璃基板上形成的铝(Al)膜实施例如蚀刻处理的工序。进行该工序的蚀刻处理装置，例如图17所示，包括：真空腔室1；用于载置作为被处理体的例如FPD基板S(以下简称为基板S)的载置台11；用于向该载置台11上的基板S供给蚀刻气体例如氯气(Cl₂)类气体的处理气体供给部12。而且，从处理气体供给部12向载置台11上的基板S供给蚀刻气体，并且从排气路13对真空腔室1内进行真空排气，从高频电源14向载置台11施加高频电力使蚀刻气体等离子体化，通过该等离子体对基板S的表面的铝膜进行蚀刻处理。

但是，在这种铝膜的蚀刻中，蚀刻速度(反应速度)，蚀刻气体供给量成为律速，即与蚀刻气体供给量成比例地变快。因此，如图18所示，例如在基板S的周边区域15，被蚀刻膜即铝膜所占的比例比中央区域16少，因此，作为众所周知的负载效应(loading effect)，供给到该周边区域15的铝膜的蚀刻气体比供给到中央区域16的铝膜的蚀刻气体多，因而与中央区域16相比较快地进行蚀刻。

为了抑制这样的负载效应，如图17和图19(a)所示，通过设置包围基板S周围的整流部件17，在基板S的周边区域15形成气体滞留，抑制向上述周边区域15的蚀刻气体供给量，提高基板S的面内的蚀刻速度的均一性。该整流部件17以沿基板S各边配置由横长矩形状的板状体构成的4个整流壁171，整体形状为正方形的方式组合构成。另外，例如在这4个之中的相对的2个整流壁171的侧面以向载置台11的外部延伸的方式设置有突出部172，通过用升降机构18使与该突出部172的下面连接的支承轴181升降，如图19(b)所示，能够在对基板S进行搬入、搬出时升降整个整流部件17。此外，在基板S是大型基板例如基板S的一边是2m左右的情况下，该整流壁171构成为将长度尺寸L是例如1m左右的2个板状体在长度方向上连接。

在这里，由于这样的整流壁171接触蚀刻气体的等离子体，所以相对于等离子体必须具有高耐性，另外，为了避免对向载置台11施加的高频电力造成恶劣影响，必须具有高电绝缘性。因此，该整流壁171由陶瓷例如氧化铝(Al₂O₃)等构成。这样的陶瓷通常由作为致密烧结体的标准陶瓷构成，因此，表面如图20所示极为平滑，表面粗糙度Ra例如是1.0μm左右。但是，如图21(a)所示，例如氯气和铝反应会生成生成物(反应生成物)。该生成物与未反应的蚀刻气体等一起流向基板S的外周侧，如果到达整流部件17的内壁，则会越过该整流部件17被排放到上述排气路13。在这里，在该生成物接触整流壁171的内壁的情况下，如图21(b)所示，有时会作为堆积物附着在该内壁上。由于整流壁171的表面平滑，所以该堆积物与作为基材的氧化铝烧结体之间的紧贴力薄弱因而容易剥落，变成颗粒而成为基板S表面的图案不良等的原因。

因此，也可以尝试预先通过例如喷砂处理破坏整流壁171的表面(粗糙面化)来增加整流壁171的表面积，通过固着(榫接)效应(anchoreffect)增强整流壁171和堆积物之间的紧贴力，抑制堆积物脱落。但是，由于氧化铝烧结体非常坚硬，表面粗糙度Ra只能粗糙化到5～6μm左右。以这种程度的粗糙面不能充分防止堆积物的脱落，此外，利用喷砂处理有可能导致整流壁171弯曲、变形或破裂。

另一方面，作为同样使整流壁171粗糙化的手法，已知有例如喷镀陶瓷的方法，但是，通过该方法也不能得到充分抑制堆积物脱落的程度的粗糙面，而且由于增设了喷镀工序，也会导致成本上升。

在专利文献1及专利文献2中记载了以下技术：在利用等离子体的装置中，使用多孔体作为覆盖晶片周边的物质或密封板。专利文献3记载了在蚀刻装置中，在密封环、聚焦环上形成粗糙面的技术。但是均未探讨关于上述整流壁171的课题。

专利文献1：日本特开昭61-276322(第二页右栏第6行～第9行)

专利文献2：日本特开2002-217172(0017段)

专利文献3：日本特开2004-289003(0021段)

发明内容