[发明专利]基板支撑、运送用托盘

说明书

本申请是申请号为200580039349.5、申请日为2005年10月18日、由申请人佳能安内华股份有限公司提出的、发明名称为“基板支撑·运送用托盘”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及被载置在配备于对半导体基板进行加热处理的处理室的基板支撑部件上，在上侧放置着基板的基板支撑·运送用的托盘。特别是涉及被载置在内部具有基板加热处理用的加热构件的基板支撑部件上，在上侧放置着半导体基板的基板支撑·运送用的托盘。

背景技术

在半导体制造装置中，在真空状态或大气压状态的处理室内，进行对半导体基板的加热处理，在这种情况下，考虑对半导体基板均匀的加热、加热处理完成后的半导体基板的移送等，在上部侧具有基板支撑部的基板支撑·运送用托盘上放置着半导体基板的状态下，对半导体基板进行加热处理。

例如，如图7(a)所示，将基板1放置于在上部侧具有基板支撑部的基板支撑·运送用托盘18上，将它放在内置着对半导体基板进行加热的加热构件4的基板支撑部件2上，在真空状态或大气压状态下，进行针对基板1的加热处理。

该图7(a)所示的方式是以均匀加热基板1为目的，使用了基板支撑·运送用托盘18，但是，在想要将加热处理完成后的基板1从处理室(未图示出)内取出，将下一个受到加热处理的新的基板运入处理室内进行加热处理时，在基板支撑·运送用托盘18上没有运送用机械手等可支撑的位置。因此，结果为存在不能在基板1的温度降低前进行运送处理的问题。

因此，如图7(b)所示，采用了平板状、大直径的基板支撑·运送用托盘18a，该基板支撑·运送用托盘18a在上部侧具有基板支撑部，外周缘18d比内置着对基板进行加热的加热构件4的基板支撑部件2的外周缘2a大。这样的现有技术例如记载于特开2002-2695等中。

在这样方式的基板支撑·运送用托盘18a的情况下，因为外周缘18d比内置着对基板1进行加热的加热构件4的基板支撑部件2的外周缘2a大，所以可以通过运送用机械手等的前端为双股的叉，来支撑基板支撑·运送用托盘18a的外周缘侧18c的下侧(图7(b)中下侧)。

因此，若对基板1进行加热的处理完成后，则可以不必等到基板1的温度降低，可以通过运送用机械手等的成为叉的双股的前端部分来支撑基板支撑·运送用托盘18a的外周缘侧18c的下侧(图4(b)中下侧)，从基板支撑部件2上卸下基板支撑·运送用托盘18a。然后，通过同样地运来在基板支撑部上放置着下一个进行加热处理的新基板的其它的基板支撑·运送用托盘18a，并放置在基板支撑部件2上，可以开始新基板的加热处理。据此，能够有效地进行多片基板的加热处理。

但是，在内置着对基板进行加热的加热构件4的基板支撑部件2上，如图7(b)所示的方式那样，放置着外周缘18d比基板支撑部件2的外周缘2a大，平板状的大直径的基板支撑·运送用托盘18a，在进行基板1的加热处理的情况下，热从突出于基板支撑部件2的外周缘2a的基板支撑·运送用托盘18a的外周缘侧18c放射。因此，在基板支撑·运送用托盘18a的中心部侧和基板支撑·运送用托盘18a的外周缘侧18c之间温度不均匀，其结果为，产生了难以进行基板1的均匀加热的问题。

本发明的目的在于提供一种基板支撑·运送用托盘，该基板支撑·运送用的托盘是在真空状态或大气压状态下，被载置在配备于对基板(半导体基板)进行加热处理的处理室的基板支撑部件上，特别是被载置在内置着基板加热用的加热构件的基板支撑部件上，在上侧放置着基板(半导体基板)，在对基板(半导体基板)进行加热处理时，能够更均匀地加热基板，同时，在加热处理结束后，不必等到基板(半导体基板)的温度降低，即可简单地从上述基板支撑部件卸下，从进行加热处理的处理室运往他处，能够有效地进行多片基板的加热处理。

发明内容

为了解决上述课题，本发明所提出的基板支撑·运送用托盘是被载置在配备于对基板(半导体基板)进行加热处理的处理室的基板支撑部件上，在上侧放置着基板的基板支撑·运送用的托盘，其特征在于，在上部侧具有圆盘状的基板支撑部，具有从该圆盘状的基板支撑部的周缘向下侧延伸的筒状侧壁部，和从该筒状侧壁部的下端侧在径向向外侧延伸的环状部。

发明效果