[发明专利]发光装置有效

专利信息
申请号: 200910140505.7 申请日: 2009-05-06
公开(公告)号: CN101655192A 公开(公告)日: 2010-02-24
发明(设计)人: 陈鼎元;余振华;邱文智 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V7/00;F21V7/22;H01L33/00;F21Y101/02
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 姜 燕;陈 晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光装置,包括:

一基板;

一反射层位于该基板上;

一光子晶体准直层位于该反射层上,其中该光子晶体准直层是由一基 体材料以及一介电材料点阵所构成,该介电材料点阵包括多个柱状物,且所 述多个柱状物以重复点阵型式形成于该基体材料中,其中该光子晶体准直层 对第一方向为同质,对第二方向与第三方向为非同质,该第一方向为垂直于 该基板的方向,该第二方向与该第三方向为平行于该基板的方向;以及

一发光二极管位于该光子晶体准直层上。

2.如权利要求1所述的发光装置,还包括一金属结合层介于该光子晶体 准直层与该发光二极管之间。

3.如权利要求1所述的发光装置,其中该发光二极管与该光子晶体准直 层共享一界面。

4.如权利要求1所述的发光装置,其中该反射层包含一布拉格反射层。

5.如权利要求1所述的发光装置,其中该光子晶体准直层包含一第一材 料点阵位于一第二材料中,且该第一材料与第二材料具有不同的折射率。

6.如权利要求1所述的发光装置,其中该光子晶体准直层包含GaN、Si、 或介电材料。

7.如权利要求1所述的发光装置,其中该介电材料点阵延伸穿过该基体 材料。

8.一种发光装置,包括:

一第一基板;

一发光二极管位于该第一基板上;以及

一反射器位于该发光二极管与该第一基板之间,其中该反射器包括:

一反射层;以及

一光子晶体准直层,由一基体材料以及一介电材料点阵所构成,该 介电材料点阵包括多个柱状物,且所述多个柱状物以重复点阵型式形成于该 基体材料中,其中该光子晶体准直层对第一方向为同质,对第二方向与第三 方向为非同质,该第一方向为垂直于该第一基板的方向,该第二方向与该第 三方向为平行于该第一基板的方向。

9.如权利要求8所述的发光装置,其中该光子晶体准直层位于该反射层 与该发光二极管之间。

10.如权利要求9所述的发光装置,其中该发光二极管与该光子晶体准直 层直接接触。

11.如权利要求8所述的发光装置,其中该反射层包含一布拉格反射层。

12.如权利要求8所述的发光装置,其中该光子晶体准直层包含GaN、 Si、或介电材料。

13.如权利要求8所述的发光装置,还包括一金属层位于该光子晶体准直 层与该发光二极管之间。

14.如权利要求8所述的发光装置,其中该介电材料点阵延伸穿过该基体 材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910140505.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top