[发明专利]发光装置有效
| 申请号: | 200910140505.7 | 申请日: | 2009-05-06 |
| 公开(公告)号: | CN101655192A | 公开(公告)日: | 2010-02-24 |
| 发明(设计)人: | 陈鼎元;余振华;邱文智 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V7/00;F21V7/22;H01L33/00;F21Y101/02 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 装置 | ||
1.一种发光装置,包括:
一基板;
一反射层位于该基板上;
一光子晶体准直层位于该反射层上,其中该光子晶体准直层是由一基 体材料以及一介电材料点阵所构成,该介电材料点阵包括多个柱状物,且所 述多个柱状物以重复点阵型式形成于该基体材料中,其中该光子晶体准直层 对第一方向为同质,对第二方向与第三方向为非同质,该第一方向为垂直于 该基板的方向,该第二方向与该第三方向为平行于该基板的方向;以及
一发光二极管位于该光子晶体准直层上。
2.如权利要求1所述的发光装置,还包括一金属结合层介于该光子晶体 准直层与该发光二极管之间。
3.如权利要求1所述的发光装置,其中该发光二极管与该光子晶体准直 层共享一界面。
4.如权利要求1所述的发光装置,其中该反射层包含一布拉格反射层。
5.如权利要求1所述的发光装置,其中该光子晶体准直层包含一第一材 料点阵位于一第二材料中,且该第一材料与第二材料具有不同的折射率。
6.如权利要求1所述的发光装置,其中该光子晶体准直层包含GaN、Si、 或介电材料。
7.如权利要求1所述的发光装置,其中该介电材料点阵延伸穿过该基体 材料。
8.一种发光装置,包括:
一第一基板;
一发光二极管位于该第一基板上;以及
一反射器位于该发光二极管与该第一基板之间,其中该反射器包括:
一反射层;以及
一光子晶体准直层,由一基体材料以及一介电材料点阵所构成,该 介电材料点阵包括多个柱状物,且所述多个柱状物以重复点阵型式形成于该 基体材料中,其中该光子晶体准直层对第一方向为同质,对第二方向与第三 方向为非同质,该第一方向为垂直于该第一基板的方向,该第二方向与该第 三方向为平行于该第一基板的方向。
9.如权利要求8所述的发光装置,其中该光子晶体准直层位于该反射层 与该发光二极管之间。
10.如权利要求9所述的发光装置,其中该发光二极管与该光子晶体准直 层直接接触。
11.如权利要求8所述的发光装置,其中该反射层包含一布拉格反射层。
12.如权利要求8所述的发光装置,其中该光子晶体准直层包含GaN、 Si、或介电材料。
13.如权利要求8所述的发光装置,还包括一金属层位于该光子晶体准直 层与该发光二极管之间。
14.如权利要求8所述的发光装置,其中该介电材料点阵延伸穿过该基体 材料。
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