[发明专利]固态成像设备及制造所述固态成像设备的方法无效
| 申请号: | 200910137836.5 | 申请日: | 2003-07-29 |
| 公开(公告)号: | CN101552281A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | 前田弘;西田和弘;根岸能久;保坂俊一 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L21/82;H04N5/335 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春琦 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 设备 制造 方法 | ||
1.一种固态成像设备,包括:
设置有IT-CCD的半导体基板;以及
为了具有与所述IT-CCD的光接收区相应的间隙,连接至所述半导体基 板的半透明组件,
其中连接端子设置在所述半透明组件的表面上,所述半透明组件的表 面与所述半导体基板的连接表面相对,以及
所述连接端子经由设置在所述半透明组件中的通孔电连接至所述半导 体基板。
2.根据权利要求1所述的固态成像设备,
其中所述半透明组件通过衬垫连接至所述半导体基板。
3.根据权利要求2所述的固态成像设备,
其中所述衬垫由与所述半透明组件相同的材料构成。
4.根据权利要求2所述的固态成像设备,
其中所述衬垫由与所述半导体基板相同的材料构成。
5.根据权利要求2所述的固态成像设备,
其中所述衬垫由树脂材料构成。
6.根据权利要求2所述的固态成像设备,
其中所述衬垫由42-合金或硅构成。
7.一种制造固态成像设备的方法,包括如下步骤:
a)在半导体基板的表面上形成多个IT-CCD;
b)为了具有与所述IT-CCD的每个光接收区相应的间隙,将具有用导 电材料填充的通孔的半透明组件结合到所述半导体基板的表面上;以及
c)对于每个IT-CCD,分离在所述步骤b)获得的结合组件。
8.根据权利要求7所述制造固态成像设备的方法,其中所述步骤b) 包括以下步骤:
制备半透明基板,其中所述半透明基板在与待形成所述IT-CCD的区域 相应的位置中具有凹形部分,且在所述凹形部分附近具有通孔;以及
将所述半透明基板结合至所述半导体基板的表面。
9.根据权利要求8所述制造固态成像设备的方法,还包括:
在所述步骤b)之前,在所述半导体基板表面上形成凸出部分以环绕所 述光接收区、由所述凸出部分在所述光接收区和所述半透明组件之间形成 间隙的步骤。
10.根据权利要求8所述制造固态成像设备的方法,
其中在所述步骤b),间隙通过被设置以环绕所述光接收区的衬垫形成 在所述半导体基板和所述半透明组件之间。
11.一种固态成像设备,包括:
设置有IT-CCD的半导体基板;以及
为了具有与所述IT-CCD的光接收区相对的间隙,连接至所述半导体基 板的半透明组件,
其中所述半透明组件构成具有聚光功能的光学组件。
12.根据权利要求11所述的固态成像设备,
其中所述半透明组件通过衬垫连接至所述半导体基板。
13.根据权利要求12所述的固态成像设备,
其中所述衬垫由与所述半透明组件相同的材料构成。
14.根据权利要求12所述的固态成像设备,
其中所述衬垫由与所述半导体基板相同的材料构成。
15.根据权利要求12所述的固态成像设备,
其中所述衬垫由树脂材料构成。
16.根据权利要求12所述的固态成像设备,
其中所述衬垫由42-合金或硅构成。
17.根据权利要求12所述的固态成像设备,
其中所述IT-CCD的周缘部分的表面暴露在所述半透明组件之外。
18.根据权利要求17所述的固态成像设备,
其中所述暴露的部分包括连接端子。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





