[发明专利]等离子体处理容器和等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200910134905.7 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101556913A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 出口新悟 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/311;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 容器 装置 | ||
1.一种等离子体处理容器，其形成收纳被处理体而进行等离子体处理的处理室，其特征在于，具有：
接合多个容器构成部件而形成的容器主体；
配设在所述容器构成部件间的接合部分的第一密封部件；
安装在所述容器主体的内面而保护所述容器主体的保护部件，
在所述容器构成部件间的接合部分设有通过将所述保护部件从所述处理室内部插入直至到达所述第一密封部件的位置而使所述第一密封部件和所述保护部件抵接的第一密封部。
2.如权利要求1所述的等离子体处理容器，其特征在于，
以包围所述第一密封部件的方式在该第一密封部件的外侧设有在所述容器构成部件间直接介入所述第二密封部件的第二密封部。
3.如权利要求2所述的等离子体处理容器，其特征在于，
通过所述第一密封部遮断等离子体以及/或者腐蚀性气体，通过所述第二密封部维持所述容器主体的气密性。
4.如权利要求3所述的等离子体处理容器，其特征在于，
所述第一密封部件和所述第二密封部件的材质不同，所述第一密封部件由对等离子体以及/或者腐蚀性气体具有耐性的材质构成。
5.如权利要求1～4任一项所述的等离子体处理容器，其特征在于，
所述保护部件嵌入在形成于所接合的两个部件中的任一部件的凹部中，使所述部件间的接合面和所述保护部件的表面形成为同一面。
6.如权利要求1～5任一项所述的等离子体处理容器，其特征在于，
所述保护部件的表面由利用阳极氧化处理形成的氧化覆膜或具有耐等离子体腐蚀性的陶瓷喷镀膜覆盖。
7.一种等离子体处理装置，其特征在于，具有权利要求1～6任一项所述的等离子体处理容器。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
