[发明专利]发光二极管芯片

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，其特征在于：包括：

基板；

第一型掺杂半导体层，设置于该基板上；

第二型掺杂半导体层，设置于该第一型掺杂半导体层上方；

发光层，设置于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间；

至少一掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层，设置于该发光层的至少其中一表面上；

至少一穿隧接合层，设置于该掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与该第一型掺杂半导体层之间及/或该掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与该第二型掺杂半导体层之间，其中该掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与该穿隧接合层是位于该发光层的同一侧；

第一电极，设置于该第一型掺杂半导体层上；以及

第二电极，设置于该第二型掺杂半导体层上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述穿隧接合层的能隙宽度大于该发光层的能隙宽度。

3.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述穿隧接合层包括：

第一型氮化铝镓系材料层；以及

第二型氮化铝镓系材料层，设置于该第一型氮化铝镓系材料层的其中一表面上。

4.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一型氮化铝镓系材料层具有硅掺质、铟掺质或其组合，且第二型氮化铝镓系材料层具有镁掺质、铟掺质或其组合。

5.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层设置于该发光层的上表面上，且该第二型氮化铝镓系材料层设置于该掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与该第一型氮化铝镓系材料层之间。

6.根据权利要求4所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层设置于该发光层的下表面上，且该第一型氮化铝镓系材料层设置于该掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与该第二型氮化铝镓系材料层之间。

7.根据权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一型氮化铝镓系材料层具有镁掺质、铟掺质或其组合，且该第二型氮化铝镓系材料层具有硅掺质、铟掺质或其组合。

8.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层设置于该发光层的上表面上，且该第二型氮化铝镓系材料层设置于该掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与该第一型氮化铝镓系材料层之间。

9.根据权利要求7所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层设置于该发光层的下表面上，而该第一型氮化铝镓系材料层设置于该掺杂铟掺质的氮化铝镓系材料层与该第二型氮化铝镓系材料层之间。

10.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第一型掺杂半导体层包括：

缓冲层，设置于该基板上；

结晶层，设置于该缓冲层上；以及

第一型接触层，设置于该结晶层上。

11.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述第二型掺杂半导体层包括第二型接触层。

12.一种发光二极管芯片，其特征在于：包括：

基板；

第一型掺杂半导体层，设置于该基板上；

第二型掺杂半导体层，设置于该第一型掺杂半导体层上方；

发光层，设置于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间；

至少一未掺杂的氮化铝镓系材料层，设置于该发光层的至少其中一表面上；

至少一穿隧接合层，设置于该未掺杂的氮化铝镓系材料层与该第一型掺杂半导体层之间及/或该未掺杂的氮化铝镓系材料层与该第二型掺杂半导体层之间，其中该未掺杂的氮化铝镓系材料层与该穿隧接合层是位于该发光层的同一侧；

第一电极，设置于该第一型掺杂半导体层上；以及

第二电极，设置于该第二型掺杂半导体层上。

13.根据权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述穿隧接合层的能隙宽度大于该发光层的能隙宽度。

14.根据权利要求12所述的发光二极管芯片，其特征在于：所述穿隧接合层包括：

第一型氮化铝镓系材料层；以及

第二型氮化铝镓系材料层，设置于该第一型氮化铝镓系材料层的其中一表面上。