[发明专利]平均地使用一闪存的多个区块的方法、记忆装置及控制器

说明书

技术领域

本发明涉及闪存(Flash Memory)的存取(Access)技术领域，更具体地说，涉及一种平均地使用一闪存的多个区块的方法、记忆装置及控制器。

背景技术

近年来由于闪存的相关技术不断地发展，各种可携式记忆装置(例如：符合SD/MMC、CF、MS、XD标准的记忆卡)被广泛地实施于诸多应用中。因此，这些可携式记忆装置中的闪存的存取控制遂成为相当热门的议题。

以常用的NAND型闪存而言，其主要可区分为单阶细胞(Single Level Cell，SLC)与多阶细胞(Multiple Level Cell，MLC)两大类的闪存。单阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管只有两种电荷值，分别用来表示逻辑值0与逻辑值1。另外，多阶细胞闪存中的每个被当作记忆单元的晶体管的储存能力则被充分利用，采用较高的电压来驱动，以通过不同级别的电压在一个晶体管中记录两组位信息(00、01、11、10)；理论上，多阶细胞闪存的记录密度可以达到单阶细胞闪存的记录密度的两倍，这对于曾经在发展过程中遇到瓶颈的NAND型闪存的相关产业而言，是非常好的消息。

相比较于单阶细胞闪存，由于多阶细胞闪存的价格较便宜，并且在有限的空间里可提供较大的容量，故多阶细胞闪存很快地成为市面上的可携式记忆装置竞相采用的主流。然而，多阶细胞闪存的不稳定性所导致的问题也一一浮现。例如：依据相关技术，一旦闪存因使用多时而质量变差，使用者的数据就可能随时会遗失。尤其是，相比较于单阶细胞闪存，多阶细胞闪存中的每一区块的抹除次数的上限相对地低，这会使得上述的不稳定性的问题更加被突显。因此，需要一种新颖的方法来加强控管闪存的数据存取，以确保使用者数据的完整性。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种平均地使用一闪存(Flash Memory)的多个区块的方法、记忆装置及控制器。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案之一是：构造一种平均地使用一闪存的多个区块的方法，该方法包含有：提供至少一阈值，用来依据该多个区块的抹除次数自该些区块中筛选出适用的区块；以及通过比较该些区块中的至少一部分的抹除次数以及该至少一阈值，来依据所欲使用的用途自该些区块中筛选出一特定区块以供使用。

本发明所述的方法，其中该至少一阈值包含有多个阈值。

本发明所述的方法，其中通过比较该些区块中的至少一部分的抹除次数以及该至少一阈值来依据所欲使用的用途自该些区块中筛选出该特定区块以供使用另包含有：通过比较该些区块中的至少一部分区块的抹除次数以及该至少一阈值，将该多个区块中的至少一部分区块进行分类；以及依据所欲使用的用途，决定应当从分类运作的哪一类别中的区块中筛选出该特定区块以供使用。

本发明所述的方法，其中通过比较该些区块中的至少一部分区块的抹除次数以及该至少一阈值，将该多个区块中的至少一部分区块进行分类另包含有：将该多个区块中的至少一部分区块分类成第一类与第二类，其中属于第一类的区块的抹除次数大于属于第二类的区块的抹除次数。

本发明所述的方法，其中通过比较该些区块中的至少一部分的抹除次数以及该至少一阈值来依据所欲使用的用途自该些区块中筛选出该特定区块以供使用的步骤另包含有：通过比较该些区块中的至少一部分区块的抹除次数以及该至少一阈值，将该多个区块中的至少一部分区块进行排序；以及依据所欲使用的用途，决定应当自排序运作的排序结果的哪一部分中的区块当中筛选出该特定区块以供使用。

本发明所述的方法，其中通过比较该些区块中的至少一部分的抹除次数以及该至少一阈值来依据所欲使用的用途自该些区块中筛选出该特定区块以供使用的步骤另包含有：通过比较该些区块中的全部区块的抹除次数以及该至少一阈值，来依据所欲使用的用途自该些区块中筛选出该特定区块以供使用。

本发明所述的方法，其另包含有：动态地调整该至少一阈值。

本发明所述的方法，其中该多个区块为空白区块。

本发明所述的方法，其中通过比较该些区块中的至少一部分的抹除次数以及该至少一阈值，来依据所欲使用的用途自该些区块中筛选出一特定区块以供使用另包含有：筛选一抹除次数较低的区块以作为一暂时区块或一档案配置表区块；或者筛选一抹除次数较高的区块以作为一子区块或一新区块。