[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

由于薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，近年来得到了迅速地发展，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。液晶面板是TFT-LCD中最重要的部件之一，主要包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板。其中阵列基板包括数条相互绝缘交叉的栅线和数据线，栅线和数据线限定了数个像素区域，每个像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管。制备TFT-LCD阵列基板是通过一组构图工艺形成结构图形来完成，一次构图工艺形成一层结构图形，对于TFT-LCD来说，TFT-LCD阵列基板以及制造工艺决定了其产品质量、成品率和价格。

在TFT-LCD阵列基板制备工艺中，虽然严格控制了生产环境中的颗粒(Particle)等级，但完全消除生产环境中的颗粒是不现实的，因此实际生产中因颗粒存在导致产品缺陷的现象经常发生，且颗粒主要会导致栅线断线不良、数据线断线不良或公共电极线断线不良等缺陷，这些断线不良不仅难以修复，而且导致后续工艺的浪费。

此外，现有TFT-LCD阵列基板通常采用栅线或与栅线同层的公共电极线作为存储电容的一个电极板，形成在钝化层上的像素电极作为存储电容的另一个电极板。由存储电容的公式可知，单位面积存储电容的大小与两个电极板之间的距离成反比，距离越大，单位面积存储电容越小。由于现有技术TFT-LCD阵列基板中存储电容两个电极板之间的距离为栅绝缘层和钝化层的厚度之和，距离较大，因此现有技术TFT-LCD阵列基板存在单位面积存储电容较小的缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现有技术TFT-LCD阵列基板制备工艺中存在断线不良等技术缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内还设置有形成双层结构的栅线和/或数据线的连接电极。

所述连接电极可以包括与所述栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第一连接电极，所述栅线和第一连接电极上形成有栅绝缘层，所述栅绝缘层上开设有至少二个第一连接过孔，所述第一连接电极通过所述至少二个第一连接过孔与数据线连接，形成双层结构的数据线。

所述连接电极也可以包括与所述数据线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第二连接电极，所述数据线和第二连接电极形成在栅绝缘层上，所述栅绝缘层上开设有至少二个第二连接过孔，所述第二连接电极通过所述至少二个第二连接过孔与栅线连接，形成双层结构的栅线。

所述连接电极还可以包括与所述栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第一连接电极和与所述数据线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第二连接电极，所述栅线和第一连接电极上形成有栅绝缘层，所述数据线和第二连接电极形成在栅绝缘层上，所述栅绝缘层上开设有至少二个第一连接过孔和至少二个第二连接过孔，所述第一连接电极通过所述至少二个第一连接过孔与数据线连接，形成双层结构的数据线，所述第二连接电极通过所述至少二个第二连接过孔与栅线连接，形成双层结构的栅线。

所述连接电极还包括与所述像素电极同层设置并在同一次构图工艺中形成的第四连接电极和第五连接电极，所述第四连接电极和第五连接电极形成在钝化层上，所述钝化层上开设有至少二个第四连接过孔和至少二个第五连接过孔，所述第四连接电极通过所述至少二个第四连接过孔与数据线连接，形成二个双层结构的数据线，所述第五连接电极通过所述至少二个第五连接过孔与第二连接电极连接，形成二个双层结构的栅线。

在上述技术方案基础上，还包括与所述栅线同层设置并在同一次构图工艺中形成的公共电极线，所述连接电极包括与所述数据线同层设置并在同一次构图工艺中形成的第三连接电极，所述第三连接电极形成在栅绝缘层上，所述栅绝缘层上开设有至少二个第三连接过孔，所述第三连接电极通过所述至少二个第三连接过孔与公共电极线连接，形成双层结构的公共电极线。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、形成包括栅线、数据线、有源层、源电极和漏电极的图形，所述栅线和/或数据线为双层结构；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积钝化层，形成包括钝化层过孔的图形，所述钝化层过孔位于所述漏电极的所在位置；