[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，呈矩阵形式形成在所述衬底基板上的各单元像素区；每块所述单元像素区中设置有一块像素电极和一个驱动开关；所述衬底基板上横纵交叉地形成有多条栅极扫描线和数据扫描线；每个所述像素电极分别通过对应的驱动开关与相邻的数据扫描线和栅极扫描线相连，其特征在于：

至少部分相邻列像素电极所连接的两数据扫描线形成在所述相邻列像素电极之间，且所述两数据扫描线在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠，所述两数据扫描线的重叠部分之间设置有第一绝缘层；和/或

至少部分相邻行像素电极所连接的两栅极扫描线形成在所述相邻行像素电极之间，且所述两栅极扫描线在垂直于所述衬底基板的方向上至少部分重叠，所述两栅极扫描线的重叠部分之间设置有第二绝缘层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：

每个所述驱动开关包括栅电极、源电极、漏电极、半导体层和掺杂半导体层，且

所述栅电极与相邻的栅极扫描线相连，所述栅电极和所述栅极扫描线上覆盖有栅极绝缘层；

所述掺杂半导体层和半导体层重叠设置，形成在所述栅极绝缘层上，且覆盖在至少部分所述栅电极上；

所述漏电极与所述源电极的端部相对设置，且相对的端部覆盖在所述掺杂半导体层和半导体层之上；

所述源电极与相邻的数据扫描线相连，所述漏电极与相邻的像素电极相连。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：

相邻列像素电极所连接的所述两数据扫描线为第一数据扫描线和第二数据扫描线；

所述第一数据扫描线和所述第二数据扫描线形成在栅极绝缘层上，且在所述第一数据扫描线和所述第二数据扫描线之间形成有所述第一绝缘层；

所述第一数据扫描线与所连接的源电极同层设置或通过所述第一绝缘层上的过孔连接，所述第二数据扫描线与所连接的源电极同层设置或通过所述第一绝缘层上的过孔连接。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：

所述第一数据扫描线至少部分重叠设置在所述第二数据扫描线之下；

所述像素电极形成在所述第一绝缘层和所述第二数据扫描线之上，所述像素电极与漏电极直接连接或通过所述第一绝缘层上的过孔连接。

5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于：

所述第一数据扫描线至少部分重叠设置在所述第二数据扫描线之下；

且所述阵列基板还包括第二钝化层，形成在所述第一绝缘层上，覆盖所述第二数据扫描线；

所述像素电极形成在所述第二钝化层上，通过所述第二钝化层上的过孔与对应的漏电极连接。

6.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：

相邻行像素电极所连接的所述两栅极扫描线为第一栅极扫描线和第二栅极扫描线；

所述第一栅极扫描线与所连接的栅电极同层形成在所述衬底基板上，并覆盖在第二绝缘层之下；

所述第二栅极扫描线与所连接的栅电极同层形成在所述第二绝缘层之上，并覆盖在栅极绝缘层之下。

7.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上沉积栅金属层；

采用构图工艺在所述栅金属层上刻蚀形成栅电极和栅极扫描线的图案；

在所述衬底基板上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上沉积半导体材料层、掺杂半导体材料层和金属层；

采用构图工艺在所述半导体材料层、掺杂半导体材料层和金属层上进行刻蚀，在相邻列单元像素区中分别形成半导体层、掺杂半导体层、第一源电极、第一漏电极、第一数据扫描线、第二源电极和第二漏电极的图案，所述第一数据扫描线形成在两列相邻单元像素区之间，所述第一源电极连接在所述第一数据扫描线上，所述第一源电极与所述第二源电极背对设置；

在所述衬底基板上沉积第一绝缘层，并在所述第一绝缘层对应所述第一漏电极、第二漏电极和所述第二源电极的上方形成过孔；

在所述第一绝缘层上沉积金属层和透明导电材料层，采用构图工艺刻蚀形成第二数据扫描线和像素电极的图案，所述第二数据扫描线和所述第一数据扫描线在垂直所述衬底基板的方向上至少部分重叠，所述像素电极通过所述第一绝缘层的过孔与第一漏电极和第二漏电极连接，所述第二数据扫描线通过所述第一绝缘层的过孔与所述第二源电极连接。