[发明专利]液晶显示面板及其制造方法无效
申请号: | 200910080558.4 | 申请日: | 2009-03-20 |
公开(公告)号: | CN101840118A | 公开(公告)日: | 2010-09-22 |
发明(设计)人: | 李于华;柳奉烈;朴相镇 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种液晶显示面板,包括形成在基板上的栅线和数据扫描线,在所述栅线和数据扫描线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,还包括形成在所述数据扫描线上方的与所述数据扫描线电连接的数据修复线。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述数据扫描线和所述数据修复线通过数据绝缘层中的过孔实现电连接。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板,其特征在于,所述过孔位于所述栅线和所述数据扫描线的交叉区域。
4.一种液晶显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形;
步骤2、在完成步骤1的所述基板上沉积栅绝缘薄膜,形成栅绝缘层;
步骤3、在完成步骤2的所述基板上沉积源漏极金属薄膜,通过构图工艺形成包括源极、漏极和数据扫描线的图形;
步骤4、在完成步骤3的所述基板上沉积数据绝缘层,通过构图工艺形成包括过孔的图形;
步骤5、在完成步骤4的所述基板上沉积纳米铟锡金属氧化物金属薄膜,通过构图工艺形成包括数据修复线的图形。
5.根据权利要求4所述的液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述过孔位于所述栅线和所述数据扫描线的交叉区域。
6.根据权利要求4所述的液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述源漏极金属薄膜和所述纳米铟锡金属氧化物金属薄膜的材料相同。
7.根据权利要求4所述的液晶显示面板的制造方法,其特征在于,所述纳米铟锡金属氧化物金属薄膜的厚度为
8.一种液晶显示面板的制造方法,其特征在于,包括:
步骤1’、在基板上沉积栅金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅线和栅电极的图形;
步骤2’、在完成步骤1’的所述基板上沉积栅绝缘薄膜,形成栅绝缘层;
步骤3’、在完成步骤2’的所述基板上沉积半导体层、源漏极金属薄膜,通过构图工艺形成包括源极、漏极和数据扫描线的图形;
步骤4’、在完成步骤3’的所述基板上沉积数据绝缘层,通过构图工艺形成包括过孔的图形;
步骤5’、在完成步骤4’的所述基板上沉积纳米铟锡金属氧化物金属薄膜,通过构图工艺形成包括数据修复线的图形。
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