[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器结构及其制造方法，尤其是一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法。

背景技术

近年来，随着数字化电视的普及，传统的CRT显示由于数字化困难以及体积大、重量大、有辐射等缺点，逐渐被新一代显示技术替代。有代表性的新一代显示技术包括PDP、OLED、LCD等。其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)具有重量轻、体积小、功耗低、无辐射、显示分辨率高等优点，逐渐成为主流产品。

TFT-LCD的主体结构包括对盒的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有栅线、数据线以及以矩阵方式排列的薄膜晶体管和像素电极，栅线上施加的控制信号使数据线上的信号电压传送到像素电极上，通过控制液晶的偏转实现显示所需画面。由于TFT-LCD生产制作工艺复杂，当制备的产品偏离设计要求时将严重影响TFT-LCD的显示质量。例如，在制作TFT-LCD的阵列基板时，与阵列基板的栅线同时形成档光条，档光条的作用是挡在像素电极的周边，起到防止漏光的功能；档光条上还通入公共电压，作为公共电极使用。在这种传统的像素结构中，由于在数据线和像素电极之间存在钝化层，会产生寄生电容，这样，当栅线开启时，数据线开始对像素电极进行充电，该数据线上连接的所有像素电极都会通过寄生电容再接收到充电电压，从而使得像素电极上的显示电压出现微小的变化，反映到显示画面上就会有沿着数据线方向的“残像”。另外，在这种传统的像素结构中，在像素电极上方的四周有黑矩阵，可以保护液晶面板中的器件不受外界光的影响，且由于有档光条的遮光作用，从液晶显示面板的正向方向看，像素电极的周围不会出现漏光的现象，但是从斜向方向看，会发现漏光的现象比正向时要大。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，有效解决现有TFT-LCD存在的画面显示的“残像”、漏光的现象等缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内形成有第一挡光条，所述第一挡光条的上方形成有第二挡光条。

所述第一挡光条与栅线同层，并在同一次构图工艺中形成；所述第二挡光条与数据线同层，并在同一次构图工艺中形成。如果阵列基板采用四次构图工艺形成，所述第二档光条和所述数据线的下方还形成有半导体薄膜和掺杂半导体薄膜。所述第一挡光条与第二挡光条通过连接条连接。

具体地，在同一像素区域内，所述第一挡光条和第二挡光条通过第一连接条相连接，在上下相邻的两个像素区域内，两个第一挡光条通过第二连接条相连接，在左右相邻的两个像素区域内，所述第一挡光条和第二挡光条通过第三连接条相连接。在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第一端上的钝化层上开设有第一过孔，所述第一挡光条邻近所述第一过孔的第一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第二过孔，所述第一连接条通过所述第一过孔和第二过孔使所述第一挡光条和第二挡光条连接；在所述像素区域的一侧，所述第一挡光条的第二端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔，所述第二连接条通过所述第二过孔和第三过孔使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条连接；在与位于所述像素区域的一侧的所述第一连接条相对的所述像素区域的另一侧，所述第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第四过孔，所述第三连接条通过所述第三过孔和第四过孔使左右相邻的两个像素区域的所述第一挡光条和第二挡光条连接。所述第一连接条、第二连接条和第三连接条与所述像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。

另外，所述公共电极线与第一挡光条为相互连接的一体结构。所述第二挡光条的宽度为所述第一挡光条宽度的40％～60％。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极线和第一挡光条的图形，其中公共电极线与第一挡光条为相互连接的一体结构；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、漏电极、源电极、TFT沟道区域和第二挡光条的图形，所述第二挡光条位于所述第一挡光条的上方；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成数个过孔的图形；