[发明专利]TFT-LCD阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线和数据线，所述栅线和数据线限定的像素区域内形成像素电极和薄膜晶体管，所述像素区域内形成有第一挡光条，其特征在于，所述第一挡光条的上方形成有第二挡光条。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一挡光条与栅线同层，并在同一次构图工艺中形成；所述第二挡光条与数据线同层，并在同一次构图工艺中形成。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二档光条和所述数据线的下方还形成有半导体薄膜和掺杂半导体薄膜。

4.根据权利要求2所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一挡光条与第二挡光条通过连接条连接。

5.根据权利要求4所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在同一像素区域内，所述第一挡光条和第二挡光条通过第一连接条相连接，在上下相邻的两个像素区域内，两个第一挡光条通过第二连接条相连接，在左右相邻的两个像素区域内，所述第一挡光条和第二挡光条通过第三连接条相连接。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第一端上的钝化层上开设有第一过孔，所述第一挡光条邻近所述第一过孔的第一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第二过孔，所述第一连接条通过所述第一过孔和第二过孔使所述第一挡光条和第二挡光条连接。

7.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在所述像素区域的一侧，所述第一挡光条的第二端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第三过孔，所述第二连接条通过所述第二过孔和第三过孔使上下相邻的两个像素区域的两个第一挡光条连接。

8.根据权利要求5所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，在与位于所述像素区域的一侧的所述第一连接条相对的所述像素区域的另一侧，所述第二挡光条的第二端上的钝化层上开设有第四过孔，所述第三连接条通过所述第三过孔和第四过孔使左右相邻的两个像素区域的所述第一挡光条和第二挡光条连接。

9.根据权利要求5-8任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第一连接条、第二连接条和第三连接条与所述像素电极同层并在同一次构图工艺中形成。

10.根据权利要求1-8任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，公共电极线与所述第一挡光条为相互连接的一体结构。

11.根据权利要求1-8任一权利要求所述的TFT-LCD阵列基板，其特征在于，所述第二挡光条的宽度为所述第一挡光条宽度的40％～60％。

12.一种TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在基板上沉积栅金属薄膜，通过构图工艺形成包括栅线、栅电极、公共电极线和第一挡光条的图形，其中公共电极线与第一挡光条为相互连接的一体结构；

步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层、半导体薄膜、掺杂半导体薄膜和源漏金属薄膜，通过构图工艺形成包括有源层、数据线、漏电极、源电极、TFT沟道区域和第二挡光条的图形，所述第二挡光条位于所述第一挡光条的上方；

步骤3、在完成步骤2的基板上沉积钝化层，通过构图工艺形成数个过孔的图形；

步骤4、在完成步骤3的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极和连接条的图形，所述像素电极通过所述数个过孔之一与所述漏电极连接，所述连接条通过所述过孔使所述第一档光条与第二档光条连接。

13.根据权利要求12所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤2中形成的所述第二挡光条的宽度为所述第一挡光条宽度的40％～60％。

14.根据权利要求12所述的TFT-LCD阵列基板制造方法，其特征在于，

所述步骤3具体包括：在所述像素区域的一侧，所述第二挡光条的第一端上的钝化层上开设有第一过孔，所述第一挡光条邻近所述第一过孔的第一端上的栅绝缘层和钝化层上开设有第二过孔；

所述步骤4具体包括：通过构图工艺形成包括像素电极和第一连接条的图形，所述第一连接条通过所述第一过孔和第二过孔使所述第一挡光条和第二挡光条连接。